レーザー処理方法及びレーザー処理装置

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-158848
公開番号（公開出願番号）：特開平9-050961
出願日： 1996年05月30日
公開日（公表日）： 1997年02月18日
要約：

【要約】【課題】レーザーアニール処理によって形成された、複数の半導体素子間の、特性のばらつきを抑え、かつ大面積の半導体被膜に対するレーザー処理を高いスループットで行う。【解決手段】基板80には半導体素子が作製される素子作製領域81が2×2のマトリクス状に配置されている。線状レーザー光82はその断面の長さLが素子作製領域の幅Wよりも長くされる。レーザー光を照射する際に、線状レーザービーム82の端部分が重なって、あるいは接して照射される領域は、素子作製領域81外部を通過する。

請求項（抜粋）：

断面が線状のレーザー光を走査して、該レーザー光の断面の長さより大きい幅を有する半導体被膜に対してレーザー照射を行い、アニールするに際し、レーザー光の長さ方向の端部分が重なって、あるいは接して照射される領域には、半導体素子を形成しないことを特徴とするレーザー処理方法。

IPC (6件)：

H01L 21/20 , H01L 21/268 , H01L 27/12 , H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01S 3/00

FI (5件)：

H01L 21/20 , H01L 21/268 Z , H01L 27/12 R , H01S 3/00 B , H01L 29/78 627 G

引用特許：

審査官引用 (14件)

アクテイブマトリクス基板及びアクテイブマトリクス基板の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-189825 出願人：セイコーエプソン株式会社
薄膜トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-298905 出願人：株式会社金星社
特開平2-042717

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