特許
J-GLOBAL ID：200903097703683885

レーザー処理方法及びレーザー処理装置

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について

, 
田中 幸一郎

田中 幸一郎 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-158848
公開番号（公開出願番号）：特開平9-050961
出願日： 1996年05月30日
公開日（公表日）： 1997年02月18日
要約：
【要約】【課題】 レーザーアニール処理によって形成された、複数の半導体素子間の、特性のばらつきを抑え、かつ大面積の半導体被膜に対するレーザー処理を高いスループットで行う。【解決手段】 基板80には半導体素子が作製される素子作製領域81が2×2のマトリクス状に配置されている。線状レーザー光82はその断面の長さLが素子作製領域の幅Wよりも長くされる。レーザー光を照射する際に、線状レーザービーム82の端部分が重なって、あるいは接して照射される領域は、素子作製領域81外部を通過する。
請求項（抜粋）：
断面が線状のレーザー光を走査して、該レーザー光の断面の長さより大きい幅を有する半導体被膜に対してレーザー照射を行い、アニールするに際し、レーザー光の長さ方向の端部分が重なって、あるいは接して照射される領域には、半導体素子を形成しないことを特徴とするレーザー処理方法。
IPC (6件)：
H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01S 3/00
FI (5件)：
H01L 21/20 ,  H01L 21/268 Z ,  H01L 27/12 R ,  H01S 3/00 B ,  H01L 29/78 627 G
引用特許：
出願人引用 (14件)
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審査官引用 (18件)
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