特許
J-GLOBAL ID：200903057113810677

窒化物半導体装置及びその製造方法

発明者：
池戸 教夫

池戸 教夫 について

, 
福島 康之

福島 康之 について

, 
油利 正昭

油利 正昭 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (13件)： 前田 弘 ,  小山 廣毅 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守 ,  米田 圭啓 ,  関 啓 ,  杉浦 靖也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-152602
公開番号（公開出願番号）：特開2006-332258
出願日： 2005年05月25日
公開日（公表日）： 2006年12月07日
要約：
【課題】井戸層の劣化を抑制しつつ障壁層の結晶性を向上させた、ヘテロ界面を有するMQW構造と該構造の製造方法とを提供する。【解決手段】窒化物半導体装置は、InとGaを含む窒化物半導体からなる井戸層と、井戸層を挟み、井戸層よりもバンドギャップエネルギーの大きいAlとGaを含む窒化物半導体からなる障壁層と、井戸層と障壁層との間に設けられた薄膜層とを備えている。薄膜層は、障壁層の形成後、基板の降温時と井戸層の形成後、基板の昇温時にそれぞれ形成される。【選択図】 図10
請求項（抜粋）：
基板と、 前記基板の上方に設けられ、InとGaを含む窒化物半導体からなる井戸層と、 前記基板の上方に、前記井戸層を挟んで量子井戸を形成するように設けられ、AlとGaを含み、且つ前記井戸層よりもバンドギャップエネルギーが大きい窒化物半導体からなる複数の障壁層と、 前記複数の障壁層のうち1つの障壁層の上で且つ前記井戸層の下、または前記井戸層の上で且つ前記複数の障壁層のうちもう1つの障壁層の下のいずれかに少なくとも設けられ、前記井戸層よりバンドギャップエネルギーが大きく、且つ前記障壁層よりバンドギャップエネルギーが小さい窒化物半導体からなる薄膜層と を備えていることを特徴とする窒化物半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/343
FI (3件)：
H01L33/00 C ,  H01L21/205 ,  H01S5/343 610
Fターム (29件)：
5F041CA05 ,  5F041CA22 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AD09 ,  5F045AD13 ,  5F045AD15 ,  5F045AE29 ,  5F045AF04 ,  5F045AF05 ,  5F045AF09 ,  5F045CA07 ,  5F045CA09 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F045EB15 ,  5F045EE12 ,  5F045EE13 ,  5F045GB11 ,  5F173AH22 ,  5F173AH44 ,  5F173AP06
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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