特許

J-GLOBAL ID：200903084673334428

窒化物半導体発光素子、その製造方法、それを搭載した光学装置

発明者： 津田 有三 ,  上田 吉裕 ,  湯浅 貴之 ,  伊藤 茂稔
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (3件)： 佐野 静夫 ,  山田 茂樹 ,  小寺 淳一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-248508
公開番号（公開出願番号）：特開2004-087908
出願日： 2002年08月28日
公開日（公表日）： 2004年03月18日
要約：

【課題】発光効率を向上させるとともに、閾値電流密度の低い窒化物半導体発光素子を提供することである。【解決手段】窒化物半導体発光素子は、n型GaN光ガイド層14と、発光層15と、p型AlGaNキャリアブロック層16とを含み、発光層15は、障壁層30a/井戸層31/障壁層30b/井戸層31/障壁層30b/井戸層31/障壁層30cの順に積層されている。そして、井戸層31は、不純物がドープされていないInGaN層であり、少なくとも井戸層31に挟まれた障壁層30bは、井戸層31のIn組成比と異なるInGaN層33bと、GaN層32bとを含み、InGaN層33bが一方の井戸層31に接し、GaN層32bがもう一方の井戸層に接する構成とする。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

n型不純物がドープされたn型窒化物半導体層と、複数の井戸層と該井戸層よりもバンドギャップエネルギーの高い複数の障壁層とが積層されてなる多重量子井戸構造である発光層と、p型不純物がドープされたp型窒化物半導体層とからなり、前記n型窒化物半導体層と前記発光層と前記p型窒化物半導体層とが順に積層された窒化物半導体発光素子において、 前記井戸層は、不純物がドープされていないInGaN層であり、 少なくとも前記井戸層に挟まれた障壁層は、前記井戸層のIn組成比と異なるInGaN層と、GaN層とを含み、該InGaN層が一方の前記井戸層に接し、該GaN層がもう一方の前記井戸層に接することを特徴とする窒化物半導体発光素子。

IPC (5件)：

H01S5/343 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00 ,  H01S5/20 ,  H01S5/323

FI (5件)：

H01S5/343 610 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00 C ,  H01S5/20 610 ,  H01S5/323 610

Fターム (33件)：

5F041AA08 ,  5F041CA03 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA92 ,  5F041CA98 ,  5F041CB02 ,  5F041CB04 ,  5F041CB11 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045CA10 ,  5F045CA11 ,  5F045CA12 ,  5F045DA55 ,  5F073AA01 ,  5F073AA45 ,  5F073AA52 ,  5F073AA75 ,  5F073AA76 ,  5F073AA77 ,  5F073AA84 ,  5F073BA05 ,  5F073CA02 ,  5F073CA07 ,  5F073DA05 ,  5F073DA30 ,  5F073EA07 ,  5F073EA23

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-257817   出願人：豊田合成株式会社
• 窒化物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-308964   出願人：日亜化学工業株式会社
• 窒化物半導体発光素子及び発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-134823   出願人：日亜化学工業株式会社
• 窒化物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-135288   出願人：松下電器産業株式会社
• 化合物半導体の結晶成長方法、量子井戸構造、及び化合物半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-369298   出願人：シャープ株式会社