特許
J-GLOBAL ID：200903057205196371

プラズマCVD装置およびシリコン系薄膜光電変換装置の製造方法

発明者：
栗部 栄史

栗部 栄史 について


出願人/特許権者：
鐘淵化学工業株式会社

鐘淵化学工業株式会社 について


代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-272799
公開番号（公開出願番号）：特開2001-093842
出願日： 1999年09月27日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
要約：
【要約】【課題】 成膜中の中空状電極のガス吹き出し板へのパウダーのような反応ガスの生成物の付着を抑制することが可能なプラズマCVD装置を提供する。【解決手段】 排気部材を有する反応容器と、前記反応容器内に配置され、被処理基板を保持する第1電極と、前記反応容器内に前記第1電極に対向して配置された中空状の第2電極と、前記第2電極内に反応ガスを供給するためのガス供給手段と、前記第2電極に電力を印加するための電源とを具備し、前記中空状の第2電極は、前記第1電極と対向する面に多数の異形のガス吹き出し穴が開口されたガス吹き出し板を有することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
排気部材を有する反応容器と、前記反応容器内に配置され、被処理基板を保持する第1電極と、前記反応容器内に前記第1電極に対向して配置された中空状の第2電極と、前記第2電極内に反応ガスを供給するためのガス供給手段と、前記第2電極に電力を印加するための電源とを具備し、前記中空状の第2電極は、前記第1電極と対向する面に多数の異形のガス吹き出し穴が開口されたガス吹き出し板を有することを特徴とするプラズマCVD装置。
IPC (4件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/455 ,  C23C 16/50 ,  H01L 31/04
FI (4件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/455 ,  C23C 16/50 ,  H01L 31/04 V
Fターム (33件)：
4K030AA06 ,  4K030AA17 ,  4K030BA29 ,  4K030EA06 ,  4K030FA03 ,  4K030KA17 ,  4K030LA16 ,  5F045AA08 ,  5F045AB03 ,  5F045AC01 ,  5F045AD09 ,  5F045BB15 ,  5F045CA13 ,  5F045DP03 ,  5F045EF05 ,  5F045EF07 ,  5F045EF08 ,  5F051AA03 ,  5F051AA04 ,  5F051AA05 ,  5F051BA05 ,  5F051BA14 ,  5F051BA17 ,  5F051CA07 ,  5F051CA08 ,  5F051CA15 ,  5F051CA22 ,  5F051CA23 ,  5F051CA24 ,  5F051FA02 ,  5F051FA04 ,  5F051FA06 ,  5F051FA18
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (3件)

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