特許
J-GLOBAL ID：200903057223026548

高周波半導体装置

発明者：
馬場 修

馬場 修 について

, 
耳野 裕

耳野 裕 について


出願人/特許権者：
富士通カンタムデバイス株式会社

富士通カンタムデバイス株式会社 について


代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-099954
公開番号（公開出願番号）：特開2002-299440
出願日： 2001年03月30日
公開日（公表日）： 2002年10月11日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 交差する配線層間の干渉を防止し且つ伝送損失を抑える高周波半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体基板上に設けられ、接地電位に接続された接地プレート5との間で伝送線路を構成する複数の配線層と、前記複数の配線層7,11が層間絶縁膜8,10を介して交差する交差部と、前記交差部における層間絶縁膜に選択的に設けられ、接地電位に接続された分離電極9とを備えるように構成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に設けられ、接地電位に接続された接地プレートとの間で伝送線路を構成する複数の配線層と、前記複数の配線層が層間絶縁膜を介して交差する交差部と、前記交差部における層間絶縁膜に選択的に設けられ、接地電位に接続された分離電極と、を備えることを特徴とする高周波半導体装置の多層配線構造。
IPC (5件)：
H01L 21/768 ,  H01L 21/82 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01P 3/08
FI (5件)：
H01P 3/08 ,  H01L 21/90 W ,  H01L 21/82 L ,  H01L 21/90 V ,  H01L 27/04 D
Fターム (27件)：
5F033GG02 ,  5F033HH13 ,  5F033KK13 ,  5F033RR06 ,  5F033RR22 ,  5F033VV03 ,  5F033VV05 ,  5F033XX23 ,  5F033XX27 ,  5F038AC05 ,  5F038BH10 ,  5F038BH19 ,  5F038CD04 ,  5F038CD05 ,  5F038DF02 ,  5F038EZ02 ,  5F038EZ20 ,  5F064BB21 ,  5F064CC08 ,  5F064CC22 ,  5F064CC23 ,  5F064EE23 ,  5F064EE32 ,  5F064EE45 ,  5F064EE46 ,  5F064EE52 ,  5J014CA00
引用特許：
審査官引用 (14件)
  • 半導体集積回路の配線構造
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-299858   出願人：日本電気株式会社
  • 半導体集積装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-206722   出願人：セイコーエプソン株式会社
  • 特開昭64-005057
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