特許
J-GLOBAL ID：200903057248026550
半導体基板の洗浄方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-055697
公開番号（公開出願番号）：特開平10-256211
出願日： 1997年03月11日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：
【要約】【課題】 短い洗浄時間で半導体基板上のパーティクル、金属汚染、分子状有機汚染を除去できる半導体基板の洗浄方法を提供する。【解決手段】 本発明に係る半導体基板の洗浄方法は、シリコン基板をオゾン水によって15秒程度の処理時間で洗浄処理する工程と、このシリコン基板を希フッ酸によって20秒程度の処理時間で洗浄処理する工程と、を具備することを特徴とする。従って、短い洗浄時間で半導体基板上のパーティクル、金属汚染、分子状有機汚染を除去できる。
請求項（抜粋）：
半導体基板をオゾン水による酸化膜の成長速度の変化点に対応する時間程度の処理時間でオゾン水洗浄処理をする工程と、この半導体基板を、該オゾン水によって成長した酸化膜のみを除去する処理時間で希フッ酸によって洗浄処理する工程と、を具備することを特徴とする半導体基板の洗浄方法。
引用特許：
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