特許
J-GLOBAL ID：200903057269679287

強誘電体材料およびこれを用いた強誘電体メモリ

発明者：
三浦 薫

三浦 薫 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-176570
公開番号（公開出願番号）：特開平10-022465
出願日： 1996年07月05日
公開日（公表日）： 1998年01月23日
要約：
【要約】【課題】 疲労現象が起きにくい、特性の安定した寿命の長い強誘電体材料および強誘電体メモリを提供する。【解決手段】 鉛、チタンおよびジルコニウムの酸化物に、モリブデン、アンチモン、タンタル、およびタングステンのうち、一種類或いは複数種類の元素がドープした強誘電体材料を得、また、これを用いた強誘電体メモリを得る。
請求項（抜粋）：
鉛、チタンおよびジルコニウムの酸化物に、モリブデン、アンチモン、タンタル、およびタングステンのうち、一種類或いは複数種類の元素がドープされて成ることを特徴とする強誘電体材料。
IPC (7件)：
H01L 27/10 451 ,  C01G 25/00 ,  C23C 14/08 ,  G11C 11/22 ,  H01B 3/12 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242
FI (6件)：
H01L 27/10 451 ,  C01G 25/00 ,  C23C 14/08 K ,  G11C 11/22 ,  H01B 3/12 ,  H01L 27/10 651
引用特許：
審査官引用 (4件)
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