特許
J-GLOBAL ID：200903057298114841

III族窒化物系化合物半導体の製造方法

発明者：
小池 正好

小池 正好 について

, 
山崎 史郎

山崎 史郎 について


出願人/特許権者：
豊田合成株式会社

豊田合成株式会社 について


代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-221425
公開番号（公開出願番号）：特開2003-037069
出願日： 2001年07月23日
公開日（公表日）： 2003年02月07日
要約：
【要約】【課題】 クラックの無い、厚膜のIII族窒化物系化合物半導体を得ること。【解決手段】c面を主面とするサファイア基板1をRFスパッタリング装置にセットする(a)。ZnOのターゲットをスパッタして厚さ100nmで、ZnOから成る中間層2を形成する(b)。ハロゲン輸送装置にセットし、サファイア基板1を温度1000°Cに加熱する。GaClx(x=1〜3)とNH3をサファイア基板1の表面に供給して、約200μm厚のGaN層3の成長を行う(c)。こののち、塩化水素(HCl)ガスを供給して、ZnOから成る中間層2を周縁部から塩化水素(HCl)ガスによりエッチングする(d)。こうして、ZnOから成る中間層2がGaN層3とサファイア基板1をつなぐ領域を小さくすることができ(e)、或いはほとんど完全に除去することも可能である。こののち室温までもどしても熱応力によるクラックは生ぜず、厚膜のGaN基板3を得ることができる。
請求項（抜粋）：
異種基板を用いてIII族窒化物系化合物半導体をエピタキシャル成長させるIII族窒化物系化合物半導体の製造方法において、前記異種基板に、ガスエッチング可能なバッファ層を形成するバッファ層形成工程と、前記バッファ層の上に気相成長法によりIII族窒化物系化合物半導体をエピタキシャル成長させる半導体形成工程とを有し、前記半導体形成工程の間、又はその後に、前記バッファ層をガスエッチングにより少なくとも一部エッチングすることを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/205 ,  C30B 29/38
FI (2件)：
H01L 21/205 ,  C30B 29/38 D
Fターム (21件)：
4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB01 ,  4G077EF02 ,  4G077FJ04 ,  4G077TC13 ,  4G077TC17 ,  5F045AA19 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB22 ,  5F045AC03 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AD09 ,  5F045AD14 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045BB13 ,  5F045DA53 ,  5F045HA13
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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