特許
J-GLOBAL ID：200903069176190766

エピタキシャル成長用基板の製造方法及びこのエピタキシャル成長用基板を用いた半導体装置の製造方法

発明者：
西尾 譲司

西尾 譲司 について

, 
石川 正行

石川 正行 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 三好 秀和 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-301301
公開番号（公開出願番号）：特開2001-342100
出願日： 2000年09月29日
公開日（公表日）： 2001年12月11日
要約：
【要約】【課題】 結晶欠陥が少なく、表面モフォロジーが良好な、GaN系化合物半導体単結晶薄膜エピタキシャル成長用の基板を、効率よく、且つ簡単に得る。【解決手段】 (イ)バルク結晶基板301上に、第1のGaN系化合物半導体単結晶薄膜303をエピタキシャル成長する工程と、(ロ)Inを含むGaN系化合物半導体単結晶薄膜304をエピタキシャル成長する工程と、(ハ)第2のGaN系化合物半導体単結晶薄膜305をエピタキシャル成長する工程と、(ニ)第2のGaN系化合物半導体単結晶薄膜305を、バルク結晶基板301から分離し、エピタキシャル成長用基板とする工程とを少なくとも有する。
請求項（抜粋）：
バルク結晶基板上に、第1の窒化ガリウム系化合物半導体単結晶薄膜をエピタキシャル成長する工程と、前記第1の窒化ガリウム系化合物半導体単結晶薄膜の上にインジウムを含む窒化ガリウム系化合物半導体単結晶薄膜をエピタキシャル成長する工程と、前記インジウムを含む窒化ガリウム系化合物半導体単結晶薄膜の上に、第2の窒化ガリウム系化合物半導体単結晶薄膜をエピタキシャル成長する工程と、前記第2の窒化ガリウム系化合物半導体単結晶薄膜を、前記バルク結晶基板から分離し、エピタキシャル成長用基板とする工程とを少なくとも有することを特徴とするエピタキシャル成長用基板の製造方法。
IPC (3件)：
C30B 29/38 ,  C30B 25/18 ,  H01L 33/00
FI (3件)：
C30B 29/38 D ,  C30B 25/18 ,  H01L 33/00 C
Fターム (15件)：
4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BE11 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077ED06 ,  4G077EF03 ,  5F041AA40 ,  5F041AA41 ,  5F041CA22 ,  5F041CA40 ,  5F041CA62 ,  5F041CA64 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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