特許
J-GLOBAL ID：200903080665411108

半導体基板の製造方法

発明者：
萬濃 正也

萬濃 正也 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-253743
公開番号（公開出願番号）：特開2002-075871
出願日： 2000年08月24日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
要約：
【要約】【課題】 成長する窒化物単結晶厚膜と基板の熱膨張係数差によって生じる亀裂、反りを抑制することを目的とする。【解決手段】 シリコン(111)基板11上にAlN緩衝層12を介してGaN高温層13とGaN低温層14からなる多層膜を形成した後、シリコン(111)基板11をエッチング除去して得られる自立した積層体を成長用基板として用い、その上にGaN単結晶厚膜を堆積した後に積層体を研磨除去することによって、GaN単結晶基板を得る。成長用基板とその上に形成する窒化物単結晶厚膜ともに窒化物で形成されており、熱膨張係数差によって生じる亀裂や反りが抑制される。
請求項（抜粋）：
基板の上にIII族窒化物よりなる層を複数積層して多層膜を形成する工程と、前記多層膜を前記基板より分離する工程と、前記分離された多層膜の上にIII族窒化物よりなる単結晶層を形成する工程とを有し、前記多層膜を形成する工程は低温成長で形成したIII族窒化物層と前記低温成長よりも高い温度で形成したIII族窒化物層とを交互に積層する工程である半導体基板の製造方法。
IPC (7件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/18 ,  C23C 16/30 ,  C23C 16/34 ,  C30B 29/38 ,  H01L 21/308 ,  H01S 5/323
FI (7件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/18 ,  C23C 16/30 ,  C23C 16/34 ,  C30B 29/38 D ,  H01L 21/308 C ,  H01S 5/323
Fターム (44件)：
4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077EF04 ,  4G077FJ03 ,  4K030AA11 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030DA04 ,  4K030JA01 ,  4K030JA10 ,  4K030LA12 ,  5F043AA02 ,  5F043AA37 ,  5F043BB02 ,  5F043BB25 ,  5F043GG10 ,  5F045AA04 ,  5F045AA19 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB22 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AF03 ,  5F045BB12 ,  5F045CA12 ,  5F045CB02 ,  5F045DA54 ,  5F045DA67 ,  5F045DB02 ,  5F045HA14 ,  5F073CA02 ,  5F073DA05 ,  5F073DA07 ,  5F073DA22 ,  5F073DA35
引用特許：
審査官引用 (5件)
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