特許
J-GLOBAL ID:200903057308406803
化学増幅型ポジ型レジスト組成物及びハロエステル誘導体とその製法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (3件):
久保山 隆
, 中山 亨
, 榎本 雅之
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-138226
公開番号(公開出願番号):特開2005-352466
出願日: 2005年05月11日
公開日(公表日): 2005年12月22日
要約:
【課題】 ArFエキシマレーザーリソグラフィに適し、特に、ラインエッジラフネスが良好であり、リフロー工程においてパターンをより微細化できる化学増幅型ポジ型レジスト組成物を提供する。【解決手段】 式(IV)と(V)の一つ以上の繰り返し単位と、式(I)の繰り返し単位と、式(II)の繰り返し単位とを有する樹脂及び酸発生剤を含む化学増幅型ポジ型レジスト組成物。(XとX1とX3とX4はH、アルキル基、ペルフルオロアルキル基;ZとZ1とZ3とZ4は2価の炭化水素基;n1とn3とn4は0〜3の整数、mとpとsは0〜2の整数;Rはアルキル基;R1はアルキル基、シクロアルキル基;R2とR3は水酸基、ヒドロキシメチル基;R4はアルキル基、アルコキシ基;Gは-(CO)O-、-O-;Yは記載の炭素原子とともに脂環式炭化水素基を完成するのに必要な複数の原子を示す。)【選択図】 なし
請求項(抜粋):
下記式(IV)で示される繰り返し単位と式(V)で示される繰り返し単位からなる群から選ばれた少なくとも一つの繰り返し単位と、
IPC (3件):
G03F7/039
, G03F7/40
, H01L21/027
FI (3件):
G03F7/039 601
, G03F7/40 521
, H01L21/30 502R
Fターム (19件):
2H025AA01
, 2H025AA02
, 2H025AA03
, 2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BE10
, 2H025BG00
, 2H025BJ10
, 2H025CB14
, 2H025CB41
, 2H025CB45
, 2H025FA29
, 2H096AA25
, 2H096BA11
, 2H096EA05
, 2H096HA30
引用特許:
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