半導体装置およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：岡戸昭佳 , 富澤孝 , 山中郁生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-045725
公開番号（公開出願番号）：特開2005-236160
出願日： 2004年02月23日
公開日（公表日）： 2005年09月02日
要約：

【課題】トレンチ内のボイドの発生を抑制し,信頼性が高い半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】まず,N+ ソース領域31およびP- ボディ領域41を貫通してその底部がN- ドリフト領域12にまで到達するゲートトレンチ20を形成する。次に,ゲート酸化膜21を形成した後,そのゲート酸化膜21上に多結晶のシリコン膜221Pを形成する(D)。次に,シリコン膜221P上に非晶質のシリコン膜222Aを形成し,ゲートトレンチ20内部を充填する(E)。次に,活性化アニール処理を行うことで,シリコン膜221Pとシリコン膜222Aとを一体化させ,ゲートトレンチ20内に多結晶のシリコン層22Pを形成する(F)。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

トレンチ型電極構造を有する半導体装置の製造方法において, 半導体基板の上面からトレンチ部を形成するトレンチ部形成工程と, 前記トレンチ部形成工程にてトレンチ部を形成した後に,そのトレンチ部の壁面に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と, 前記絶縁膜形成工程にて絶縁膜を形成した後に,その絶縁膜上に多結晶の第1のシリコン膜を形成する第1シリコン膜形成工程と, 前記第1シリコン膜形成工程にて第1のシリコン膜を形成した後に,その第1のシリコン膜上に非晶質の第2のシリコン膜を形成する第2シリコン膜形成工程と, 前記第2シリコン膜形成工程にて非晶質の第2のシリコン膜を形成した後に,その第2シリコン膜を多結晶化する多結晶化工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/49

FI (5件)：

H01L29/78 653A , H01L29/78 652K , H01L21/28 301A , H01L29/78 658F , H01L29/58 G

Fターム (13件)：

4M104AA01 , 4M104BB01 , 4M104BB40 , 4M104CC05 , 4M104DD55 , 4M104DD78 , 4M104FF01 , 4M104FF02 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104GG18 , 4M104HH16

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-337824 出願人：株式会社デンソー

審査官引用 (3件)

高耐圧半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-252350 出願人：株式会社東芝
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-337824 出願人：株式会社デンソー
絶縁ゲート型電力用半導体素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-141846 出願人：富士電機株式会社

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