安定なしきい値電圧を有するFETおよびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：池内義明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-191409
公開番号（公開出願番号）：特開平9-036367
出願日： 1996年07月01日
公開日（公表日）： 1997年02月07日
要約：

【要約】【課題】ソース注入領域41の位置を変えるプロセス変動に耐えるしきい値電圧を備えた低電圧電界効果トランジスタ構造20を提供する。【解決手段】第1のハロー領域33および第2のハロー領域36がソース領域41に隣接して形成され、この場合引き続く熱処理の後にソース領域41と反対導電型の一定のドーピングプロフィールがソース領域41に隣接してチャネル領域23に形成されるようにする。一実施形態ではソース領域41に隣接してのみ形成しユニラテラル装置を形成するか、あるいは別の実施形態では前記ドーピングプロフィールをソース領域41およびドレイン領域40の双方に隣接して形成しバイラテラル装置を形成することもできる。さらに別の実施形態では第2の注入領域をソース領域41に形成して接合リーケージおよび容量を低減する。

請求項（抜粋）：

安定なしきい値電圧を有する電界効果トランジスタ(20)であって、第1の導電型の半導体材料のかつ1つの面(22)を有する基板領域(21)、前記基板領域(21)にかつチャネル領域(39)に隣接して形成された第2の導電型のソース領域(29)、前記基板領域(21)に配置された第1の注入領域(33)であって、該第1の注入領域(33)は前記面(22)における前記ソース領域(29)と隣接しかつ前記基板領域(21)の前記面(22)の下で前記チャネル領域(39)内へと延在し、前記第1の注入領域(33)は第1の濃度の第1の導電型を有するもの、そして前記ソース領域(29)と前記面(22)における前記第1の注入領域(33)を超えてかつ前記チャネル領域(39)内へ伸びている第1の注入領域(33)との間に配置された第2の注入領域(36)であって、前記第1の注入領域(33)および前記第2の注入領域(36)はソース領域(29)との交差部において一定のドーピング量の第1のドーパントプロフィール領域を形成し、前記第2の注入領域(36)は第2の濃度の第1の導電型を有するもの、を具備することを特徴とする安定なしきい値電圧を有する電界効果トランジスタ(20)。

IPC (2件)：

H01L 29/78 , H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 29/78 301 Y , H01L 29/78 301 S , H01L 29/78 301 H

引用特許：

審査官引用 (3件)

絶縁ゲート電界効果半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-345675 出願人：富士通株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-065285 出願人：シャープ株式会社
MOSトランジスタおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-007025 出願人：日本電気株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

ここまできたイオン注入技術, 19910625, 初版第1刷, pp.38-39

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