特許
J-GLOBAL ID:200903057408518013

半導体素子及びその製造方法、並びに半導体素子を備えるスタックモジュール、カード及びシステム

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 八田国際特許業務法人
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-169062
公開番号(公開出願番号):特開2009-010390
出願日: 2008年06月27日
公開日(公表日): 2009年01月15日
要約:
【課題】集積度を低下させずに、信頼性あるように積層することができる半体素子が提供され、かような半導体素子を備えるスタックモジュール、カード及びシステムを提供する。【解決手段】半導体素子100は基板105を備え、回路110は基板上に提供される。一つ以上のパッド120は、回路のテストのために基板上に提供される。一つ以上のターミナル135は、回路にアクセスするために基板上に提供される。一本以上の第1配線ライン140は、一つ以上のパッド及び回路を電気的に接続する。一本以上の第2配線ライン145は、一つ以上のターミナル及び回路を電気的に接続する。そして、スイッチング素子150aは、一本以上の第1配線ラインの中間に挿入され、一つ以上のパッド及び回路の電気的な接続を制御する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
基板と、 前記基板上の回路と、 前記基板上の一つ以上のパッドと、 前記基板上の一つ以上のターミナルと、 前記一つ以上のパッド及び前記回路を電気的に接続するための一本以上の第1配線ラインと、 前記一つ以上のターミナル及び前記回路を電気的に接続するための一本以上の第2配線ラインと、 前記一本以上の第1配線ラインの中間に挿入され、前記一つ以上のパッド及び前記回路の電気的な接続を制御するスイッチング素子とを備えることを特徴とする半導体素子。
IPC (9件):
H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 23/52 ,  H01L 21/320 ,  H01L 21/82 ,  G01R 31/28
FI (9件):
H01L27/04 T ,  H01L25/08 Z ,  H01L23/52 C ,  H01L21/88 J ,  H01L21/88 T ,  H01L21/82 T ,  H01L27/04 E ,  H01L21/82 F ,  G01R31/28 U
Fターム (33件):
2G132AA14 ,  2G132AA18 ,  2G132AK01 ,  2G132AL00 ,  5F033MM30 ,  5F033VV07 ,  5F033VV12 ,  5F038AV15 ,  5F038BE07 ,  5F038BH19 ,  5F038CA10 ,  5F038CD16 ,  5F038DF05 ,  5F038DT04 ,  5F038EZ01 ,  5F038EZ07 ,  5F038EZ20 ,  5F064AA11 ,  5F064BB14 ,  5F064BB31 ,  5F064CC01 ,  5F064CC22 ,  5F064CC23 ,  5F064DD39 ,  5F064DD42 ,  5F064DD46 ,  5F064EE27 ,  5F064EE45 ,  5F064EE53 ,  5F064FF12 ,  5F064FF23 ,  5F064FF27 ,  5F064FF42
引用特許:
出願人引用 (2件)
  • 半導体装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平11-193963   出願人:日本電気株式会社
  • 半導体装置およびその製造方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2004-350542   出願人:株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
審査官引用 (3件)

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