面発光素子およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：後藤洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-295085
公開番号（公開出願番号）：特開平9-139540
出願日： 1995年11月14日
公開日（公表日）： 1997年05月27日
要約：

【要約】【課題】素子にダメージを与えることなく、高温動作時にも安定した性能を供給できる、信頼性の高い面発光素子およびその製造方法を提供すること。【解決手段】まず半導体基板上に第一の多層反射膜を形成する。その上に活性層を含む中間層を形成する。その上に成長基板温度を低温に下げて後に電流狭窄層となる層を形成する。この電流狭窄層を熱処理することで高抵抗化する。さらにメサ形成部を除去し、その除去部に第二の多層反射膜を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板上に形成した第一の多層反射膜と、前記第一の多層反射膜上に形成された活性層を有する中間層と、前記中間層上に形成した高抵抗の電流狭窄層と、前記電流狭窄層上に形成した第二の多層反射膜とを含むことを特徴とする面発光素子。

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体レーザの作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-329195 出願人：アメリカンテレフォンアンドテレグラフカムパニー
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-052448 出願人：株式会社東芝
面発光レーザのための電流及び熱拡散透明層
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-144106 出願人：ヒューレット・パッカード・カンパニー

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