電極配線およびその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊藤洋二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-105708
公開番号（公開出願番号）：特開平8-078416
出願日： 1995年04月28日
公開日（公表日）： 1996年03月22日
要約：

【要約】【目的】アルミニウム合金配線の配向性に係わらずこのアルミニウム合金配線内におけるAlボイドの発生を抑制できる半導体装置の電極配線を得る。【構成】シリコン基板10上に、層間絶縁膜11、チタン層12、バリア層としての窒化チタン層13、アルミニウム合金配線層15、保護膜18がそれぞれ形成されて電極配線が構成される。ここで、窒化チタン層13とアルミニウム合金配線層15との間には、アルミニウムとチタンを組成に含む金属間化合物である歪み緩和層14が形成されており、この歪み緩和層14は、約10nm以上の膜厚を有するものである。この歪み緩和層14により、配線幅1μmに対し、幅0.3μm以上のAlボイドを実質的に0とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成され、所定部分に開口部を有する層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上を含み、前記開口部を通して前記半導体基板上に形成され、窒化チタンを組成に含むバリア層と、このバリア層上に形成されたアルミニウム合金配線層とを有する電極配線において、前記バリア層と前記アルミニウム合金配線層との間に、アルミニウムとチタンを組成に含む金属間化合物である歪み緩和層を備え、この歪み緩和層は、約10nm以上の膜厚を有するものであることを特徴とする電極配線。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 , H01L 21/28 301 , H01L 29/43

FI (2件)：

H01L 21/88 N , H01L 29/46 L

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平4-196526
特開平4-017338
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-020833 出願人：日本電気株式会社

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