半導体装置の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-308244
公開番号（公開出願番号）：特開平7-161813
出願日： 1993年12月08日
公開日（公表日）： 1995年06月23日
要約：

【要約】【目的】Ti膜を下地としAl合金膜を加熱し流動させて接続孔を埋め込む際、Al合金膜の膜特性劣化を防ぐ。【構成】第1のAl配線3の上に層間絶縁膜4を形成し、第1のAl配線3に達する接続孔を形成後、スパッタリング法によりTi膜5とAl合金膜6を順次形成する。次に、シリコン基板1を450〜500°Cに加熱し、Al合金6を流動させて接続孔を埋め込む。この際、Ti膜5の厚さをAl合金膜6の厚さの10%以下であり最大25nmとする。特に、Siを含まないAl合金膜6の場合は5%以下とすることにより、TiによるAl合金膜の膜特性劣化を最小限に抑え、接続孔を確実に埋め込むことを可能とする。

請求項（抜粋）：

半導体素子あるいは下層配線に達する接続孔を形成した層間絶縁膜及び前記接続孔にTi膜を形成する工程とAlまたはAl合金膜を低温でスパッタリング法により形成する工程と基板を加熱し、前記AlまたはAl合金膜を流動させて前記接続孔を埋込む工程を含む半導体装置の製造方法において、前記Ti膜の膜厚が前記AlあるいはAl合金膜の膜厚の10%以下かつ25nm以下であることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/768 , H01L 21/28 301 , H01L 21/28 , H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 21/90 A , H01L 21/88 N

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-260923 出願人：富士通株式会社
特開平2-116123
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-257544 出願人：松下電器産業株式会社

全件表示

前のページに戻る