特許
J-GLOBAL ID：200903057463327790
高強度導電性ジルコニア焼結体およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (2件)：
友松 英爾
, 岡本 利郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-014703
公開番号（公開出願番号）：特開2005-206421
出願日： 2004年01月22日
公開日（公表日）： 2005年08月04日
要約：
【課題】 従来の導電性セラミックスとは全く異なり、ジルコニア焼結体に極少量の導電性物質を添加し、かつ導電性物質をナノレベル、分子レベルまたは原子レベルで制御することにより導電性を発現させ、マトリックス本来の機械的特性及び耐食性を犠牲にすることなく、本来の特性をより改善した高強度導電性ジルコニア焼結体およびその製造方法の提供。【解決手段】 (a)ZrO2の結晶相が主として正方晶系ジルコニアからなるZrO2-Y2O3系ジルコニア焼結体であって、(b)Y2O3/ZrO2モル比が1.5/98.5〜4/96の範囲にあり、(c)Ti/Zr原子数比が0.3/99.7〜16/84の範囲にあり、(d)ジルコニアの平均結晶粒径が2μm以下であり、(e)焼結体の気孔率が2%以下であることを特徴とする高強度導電性ジルコニア焼結体およびその製造方法。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
(a)ZrO2の結晶相が主として正方晶系ジルコニアからなるZrO2-Y2O3系ジルコニア焼結体であって、(b)Y2O3/ZrO2モル比が1.5/98.5〜4/96の範囲にあり、(c)Ti/Zr原子数比が0.3/99.7〜16/84の範囲にあり、(d)ジルコニアの平均結晶粒径が2μm以下であり、(e)焼結体の気孔率が2%以下であることを特徴とする高強度導電性ジルコニア焼結体。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (23件)：
4G031AA07
, 4G031AA08
, 4G031AA11
, 4G031AA12
, 4G031AA29
, 4G031AA30
, 4G031AA37
, 4G031AA40
, 4G031BA02
, 4G031BA18
, 4G031BA19
, 4G031BA20
, 4G031BA26
, 4G031CA01
, 4G031CA04
, 4G031GA02
, 4G031GA03
, 4G031GA06
, 4G031GA07
, 4G031GA08
, 4G031GA10
, 4G031GA11
, 4G031GA12
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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