半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：佐藤強 , 小川清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-087937
公開番号（公開出願番号）：特開2004-296837
出願日： 2003年03月27日
公開日（公表日）： 2004年10月21日
要約：

【課題】半導体素子の両面から放熱する両面冷却構造を備えた半導体装置において、半田割れや素子破壊等を防止する。【解決手段】本発明の半導体装置11は、半導体素子12、13と、この半導体素子12、13の裏面側に半田付けされた第1の金属体14と、前記半導体素子12、13の表面側に導電性及び熱伝導性が良いスペーサ用ブロック16、17を挟んで半田付けされた第2の金属体15とを備え、全体を樹脂18でモールドして成るものにおいて、前記スペーサ用ブロック16、17を、線膨張係数が異なる2種類以上の金属材20、21、22を積層して構成したことを特徴とするものである。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体素子と、この半導体素子の裏面側に半田付けされた第1の金属体と、前記半導体素子の表面側に導電性及び熱伝導性が良いスペーサ用ブロックを挟んで半田付けされた第2の金属体とを備え、全体を樹脂でモールドして成る半導体装置において、前記スペーサ用ブロックは、線膨張係数が異なる2種類以上の金属材を積層して構成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (1件)：

H01L23/29

FI (1件)：

H01L23/36 A

Fターム (7件)：

5F036AA01 , 5F036BA23 , 5F036BB01 , 5F036BC06 , 5F036BD01 , 5F036BD21 , 5F036BE01

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭57-114241
両面冷却型半導体カ-ドモジュ-ル及びそれを用いた冷媒間接冷却型半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-118057 出願人：株式会社デンソー
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-134809 出願人：株式会社デンソー

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