特許
J-GLOBAL ID：200903050182560270
窒化物半導体素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
豊栖 康弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-176623
公開番号（公開出願番号）：特開平11-191639
出願日： 1998年06月08日
公開日（公表日）： 1999年07月13日
要約：
【要約】【課題】 発光ダイオード、レーザダイオード等の窒化物半導体素子の出力を向上させると共に、順方向電圧、閾値電圧を低下させて素子の信頼性を向上させる。【解決手段】 基板と活性層の間に、基板側から順に、アンドープ若しくはn型不純物濃度が第2の窒化物半導体層よりも少ない第1の窒化物半導体層と、n型不純物を含み超格子構造よりなるn導電型の第2の窒化物半導体層と、アンドープ若しくはn型不純物濃度が第2の窒化物半導体層よりも少ない第3の窒化物半導体層を形成し、第2の窒化物半導体層にn電極を形成した。
請求項（抜粋）：
基板と活性層の間に、基板側から順に、アンドープ若しくはn型不純物濃度が第2の窒化物半導体層よりも少ない第1の窒化物半導体層と、n型不純物を含み超格子構造よりなるn導電型の第2の窒化物半導体層と、アンドープ若しくはn型不純物濃度が第2の窒化物半導体層よりも少ない第3の窒化物半導体層を有し、前記第2の窒化物半導体層にn電極が形成されてなることを特徴とする窒化物半導体素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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