特許
J-GLOBAL ID:200903057606023135
多層配線基板及びその製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-275055
公開番号(公開出願番号):特開2001-102756
出願日: 1999年09月28日
公開日(公表日): 2001年04月13日
要約:
【要約】【課題】ガラスセラミック配線基板において、微細配線化、寸法安定化を達成し、且つ金属箔とガラスセラミック成形体とを同時焼成によって安定して作製することができるとともに、プリント配線基板などの外部回路基板に対しても優れた実装信頼性を有する多層配線基板を提供する。【解決手段】ガラスセラミックスから成る絶縁基板2と、絶縁基板2の内部に形成された配線回路層3とを具備する配線基板であって、絶縁基板の少なくとも内部に、Cu、Ag、Al、Au、Ni、Pt、Pdから選ばれる少なくとも一種以上の金属箔からなる金属成分の含有量が99.5重量%以上の高純度金属導体からなる内部配線回路層を具備し、絶縁基板1をヤング率120GPa以下のガラスセラミックスによって形成する。
請求項(抜粋):
ガラスセラミックスから成る絶縁基板と、該絶縁基板の表面及び/または内部に形成された配線回路層とを具備する配線基板であって、該絶縁基板の少なくとも内部に、金属成分の含有量が99.5重量%以上の高純度金属導体からなる内部配線回路層を具備し、且つ該絶縁基板のヤング率が120GPa以下であることを特徴とする多層配線基板。
IPC (4件):
H05K 3/46
, H05K 1/03 610
, H05K 1/09
, H05K 1/11
FI (7件):
H05K 3/46 S
, H05K 3/46 H
, H05K 3/46 N
, H05K 3/46 T
, H05K 1/03 610 D
, H05K 1/09 A
, H05K 1/11 N
Fターム (61件):
4E351AA07
, 4E351AA12
, 4E351AA13
, 4E351BB01
, 4E351BB30
, 4E351BB49
, 4E351CC12
, 4E351CC17
, 4E351CC31
, 4E351DD01
, 4E351DD04
, 4E351DD05
, 4E351DD06
, 4E351DD19
, 4E351DD20
, 4E351DD42
, 4E351DD45
, 4E351DD47
, 4E351DD52
, 4E351EE08
, 4E351GG09
, 4E351GG11
, 5E317AA24
, 5E317BB04
, 5E317BB12
, 5E317BB13
, 5E317BB14
, 5E317BB15
, 5E317BB19
, 5E317BB24
, 5E317CC13
, 5E317CC22
, 5E317CC25
, 5E317GG11
, 5E317GG14
, 5E317GG17
, 5E346AA12
, 5E346AA15
, 5E346AA24
, 5E346AA43
, 5E346BB01
, 5E346CC18
, 5E346CC31
, 5E346CC32
, 5E346CC34
, 5E346CC37
, 5E346CC38
, 5E346CC39
, 5E346CC60
, 5E346DD02
, 5E346DD11
, 5E346DD33
, 5E346EE24
, 5E346EE25
, 5E346EE27
, 5E346EE29
, 5E346FF18
, 5E346GG03
, 5E346GG08
, 5E346GG09
, 5E346HH11
引用特許:
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