特許
J-GLOBAL ID:200903057661579401
高周波用複合素子
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
高田 守 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-197554
公開番号(公開出願番号):特開2002-016456
出願日: 2000年06月30日
公開日(公表日): 2002年01月18日
要約:
【要約】【課題】 小型で厚みが薄く、増幅器と非可逆回路素子とを一体的に形成した高効率な高周波用複合素子を得る。【解決手段】 この高周波用複合素子10は、多層基板に半導体素子を配設しこれをカバーで覆った高効率増幅器14とアイソレータ12とを素子基板18上に隣接して配置し、素子基板18上に配設された伝送線路16を介して高効率増幅器の出力端子とアイソレータの入力端子とを接続し、複合素子として一体化したものである。
請求項(抜粋):
多層基板及びこの多層基板に配設された半導体素子を有する本体とこの本体を覆うカバーとを有する増幅用素子と、磁性体、この磁性体の周囲に配設され互いに絶縁された複数の中心電極、上記磁性体と中心電極とに磁界を印加する磁石、及び上記中心電極の一つに接続された入力端子を有する本体組立部とこの本体組立部を遮蔽する遮蔽部とを有する非可逆回路素子と、上記増幅用素子の出力端子と非可逆回路素子の上記入力端子とを接続する第1の接続導体とを備えた高周波用複合素子。
IPC (4件):
H03F 3/60
, H01P 1/04
, H01P 1/36
, H01P 1/383
FI (4件):
H03F 3/60
, H01P 1/04
, H01P 1/36 A
, H01P 1/383 A
Fターム (18件):
5J011DA12
, 5J013EA01
, 5J013FA00
, 5J067AA04
, 5J067AA41
, 5J067CA92
, 5J067FA16
, 5J067HA02
, 5J067HA09
, 5J067KA29
, 5J067KA68
, 5J067KS11
, 5J067KS35
, 5J067LS12
, 5J067QA04
, 5J067QS11
, 5J067SA14
, 5J067TA01
引用特許:
引用文献:
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