特許

J-GLOBAL ID：200903057718388039

バンプ付き金属箔及び回路基板及びこれを用いた半導体装置

発明者： 村松 茂次 ,  小川 喜彦 ,  小嶋 憲夫
出願人/特許権者： 新光電気工業株式会社
代理人 (1件)： 綿貫 隆夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-335098
公開番号（公開出願番号）：特開2000-164618
出願日： 1998年11月26日
公開日（公表日）： 2000年06月16日
要約：

【要約】【課題】 接続用電極が高密度に配置されている面実装型の電子部品を実装面積を広げることなく、接続用電極と外部接続端子とを確実にかつ容易に電気的に接続する実装構造を得る。【解決手段】 半導体素子10に設けられた接続用電極12の平面配列と同一の配置で、金属箔にプレス加工されて形成された、該接続用電極と電気的に接続されるバンプ22が金属箔の一方の面側に突出して形成されると共に、金属箔がバンプごとに該バンプと電気的に接続する配線パターンに形成されているバンプ付き金属箔20に、電気的絶縁性を有する接着剤層18が金属箔の一方の面側を被覆して設けられた回路基板40が、半導体素子10の接続用電極が形成された面に、各々の接続用電極12にバンプ22の先端部を接して前記接着剤層18により接着されて支持されている。

請求項（抜粋）：

半導体素子あるいはチップサイズパッケージ等の面実装型の電子部品に設けられた接続用電極の平面配列と同一の配置で、金属箔にプレス加工されて形成された、該接続用電極と電気的に接続されるバンプが、金属箔の一方の面側に突出して形成されていることを特徴とするバンプ付き金属箔。

IPC (4件)：

H01L 21/60 ,  H01L 21/60 311 ,  H05K 1/18 ,  H05K 3/32

FI (5件)：

H01L 21/92 604 A ,  H01L 21/60 311 Q ,  H05K 1/18 L ,  H05K 3/32 Z ,  H01L 21/92 602 A

Fターム (21件)：

5E319AA03 ,  5E319AB05 ,  5E319AC11 ,  5E319BB11 ,  5E319CC61 ,  5E319GG01 ,  5E336AA04 ,  5E336AA09 ,  5E336BC28 ,  5E336BC34 ,  5E336CC32 ,  5E336CC43 ,  5E336CC58 ,  5E336DD01 ,  5E336EE07 ,  5F044KK07 ,  5F044KK17 ,  5F044KK19 ,  5F044LL11 ,  5F044QQ02 ,  5F044QQ04

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 配線基板における導電バンプの構造
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-051951   出願人：山一電機株式会社, 株式会社双晶テック
• 樹脂封止型半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-032079   出願人：沖電気工業株式会社
• 電子回路装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-166411   出願人：株式会社東芝
• 特開昭52-016978