特許
J-GLOBAL ID：200903045701295373
樹脂封止型半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
清水 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-032079
公開番号（公開出願番号）：特開平7-240419
出願日： 1994年03月02日
公開日（公表日）： 1995年09月12日
要約：
【要約】【目的】 リードフレームを用いないで、半導体素子を樹脂封止により実装し、しかもハンプ電極を容易に形成し得る、極薄形の樹脂封止半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 パンプ電極を有する樹脂封止型半導体装置の製造方法において、半導体素子1の外部導出電極2に対応した位置にダボ出し突起4を有する金属薄板3を配設し位置出しする工程と、接続層5を介してダボ出し突起4と外部導出電極2とを接続、固定する工程と、前記ダボ出し突起4を残して金属薄板3を除去し、封止樹脂外殻6に突出したダボ出しバンプ電極を形成する工程を施す。
請求項（抜粋）：
パンプ電極を有する樹脂封止型半導体装置の製造方法において、(a)半導体素子の外部導出電極に対応した位置にダボ出し突起を有する金属薄板を配設し位置出しする工程と、(b)接続層を介して前記ダボ出し突起と外部導出電極とを接続、固定する工程と、(c)前記ダボ出し突起を残して金属薄板を除去し、封止樹脂外殻に突出したダボ出しバンプ電極を形成する工程を施すことを特徴とする樹脂封止半導体装置の製造方法。
引用特許：
前のページに戻る
