特許
J-GLOBAL ID：200903057736811135
薄膜形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
香山 秀幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-254938
公開番号（公開出願番号）：特開平11-092266
出願日： 1997年09月19日
公開日（公表日）： 1999年04月06日
要約：
【要約】【課題】 この発明は、結晶化温度の低減化と結晶性の向上が図れる薄膜形成方法を提供することを目的とする。【解決手段】 ゾルゲル法によって薄膜を形成する方法において、まず、LB法により、薄膜を構成すべき単結晶の結晶核を基板上に形成した後、結晶核層上にゾル液をコーティングして焼成することにより、基板上に薄膜を形成する。
請求項（抜粋）：
ゾルゲル法によって薄膜を形成する方法において、まず、LB法により、薄膜を構成すべき単結晶の結晶核を基板上に形成した後、結晶核層上にゾル液をコーティングして焼成することにより、基板上に薄膜を形成することを特徴とする薄膜形成方法。
IPC (6件)：
C30B 7/00
, H01B 3/00
, H01L 27/10 451
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
C30B 7/00
, H01B 3/00 F
, H01B 3/00 D
, H01B 3/00 H
, H01L 27/10 451
, H01L 29/78 371
