特許
J-GLOBAL ID：200903057751598340

ウェハ接合によって製造される半導体-誘電体-半導体デバイス構造体

発明者：
マーチン・エム・フランク

マーチン・エム・フランク について

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アレクサンダー・レズニチェク

アレクサンダー・レズニチェク について

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エフゲニー・ピー・ゴウセフ

エフゲニー・ピー・ゴウセフ について

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エドゥアルド・エイ・カルティエ

エドゥアルド・エイ・カルティエ について


出願人/特許権者：
インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション

インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション について


代理人 (4件)： 坂口 博 ,  市位 嘉宏 ,  上野 剛史 ,  太佐 種一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-233104
公開番号（公開出願番号）：特開2006-054465
出願日： 2005年08月11日
公開日（公表日）： 2006年02月23日
要約：
【課題】 デバイス性能を犠牲にすることなく様々なゲート材料の使用を可能にする、半導体基板上に少なくとも部分的にゲート・スタックを作るための技術を提供する。【解決手段】 高k誘電材料を含む少なくとも1つの構造体のウェハ接合を利用して、半導体電子デバイスのためのゲート・スタックを形成する方法が提供される。本発明の方法は、まず、それぞれが主面を有する第1及び第2の構造体を選択するステップを含む。本発明によれば、第1及び第2の構造体の少なくとも一方又は両方は、少なくとも高k誘電材料を含む。次に、第1及び第2の構造体の主面同士を接合して、ゲート・スタックの高k誘電材料を少なくとも含む接合構造体を形成する。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
半導体デバイスのための接合構造体を形成する方法であって、 それぞれが主面を有し、少なくとも一方が、接合構造体の構成要素であり二酸化シリコンの誘電率より大きい誘電率を持つ誘電材料を少なくとも備える、第1の構造体及び第2の構造体を準備するステップと、 前記第1の構造体及び第2の構造体の前記主面同士を接合して、前記誘電材料を含む接合構造体を形成するステップと、 を含む方法。
IPC (3件)：
H01L 29/78 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/283
FI (4件)：
H01L29/78 301F ,  H01L21/02 B ,  H01L21/283 B ,  H01L29/78 301G
Fターム (47件)：
4M104AA01 ,  4M104AA02 ,  4M104AA03 ,  4M104AA04 ,  4M104AA05 ,  4M104AA09 ,  4M104BB01 ,  4M104BB04 ,  4M104BB18 ,  4M104BB21 ,  4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104BB39 ,  4M104CC05 ,  4M104EE03 ,  4M104EE14 ,  4M104EE16 ,  4M104GG08 ,  4M104GG09 ,  5F140AA06 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BA02 ,  5F140BA03 ,  5F140BA05 ,  5F140BA06 ,  5F140BA07 ,  5F140BA08 ,  5F140BA20 ,  5F140BD02 ,  5F140BD04 ,  5F140BD05 ,  5F140BD11 ,  5F140BD13 ,  5F140BE02 ,  5F140BE05 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BE16 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF33 ,  5F140BG08 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ08 ,  5F140BK25 ,  5F140CB04
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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