特許
J-GLOBAL ID：200903070796821594

半導体装置とその製造方法

発明者：
嶋本 泰洋

嶋本 泰洋 について

, 
小畑 勝則

小畑 勝則 について

, 
鳥居 和功

鳥居 和功 について

, 
平谷 正彦

平谷 正彦 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-255454
公開番号（公開出願番号）：特開2003-069011
出願日： 2001年08月27日
公開日（公表日）： 2003年03月07日
要約：
【要約】【課題】 ゲート絶縁膜の膜厚がSiO2換算膜厚2nm以下になる場合、従来のSiO2膜の代わりに高誘電体膜を適用して、リーク電流抑制と薄膜化の両方を実現する必要がある。しかしながら、従来技術で作製したゲート絶縁膜は、固定電荷発生による閾値電圧のシフトや、移動度劣化によるドレイン電流低下の問題点があった。【解決手段】 Si基板(多結晶シリコンゲート)と高誘電体絶縁膜界面に0.5nm以上のSiO2膜を形成することと、SiO2膜形成温度を後工程の熱処理温度以上にする。【効果】 本発明によれば、従来のSiO2膜に比べてリーク電流を1/100以下に抑制し、SiO2換算膜厚2nm以下のゲート絶縁膜を有する電界効果トランジスタを、固定電荷発生や移動度劣化がなく製造できる。つまり、微細電界効果トランジスタの低消費電力化、大電流化を実現することができる。
請求項（抜粋）：
シリコン基板上にシリコン酸化膜よりも高い誘電率を有する金属酸化物を用いて形成した、SiO2換算膜厚が2.0nm以下のゲート絶縁膜を備えた電界効果トランジスタを有する半導体装置において、上記シリコン基板と上記金属酸化物に挟まれた領域に0.5nm以上の厚さのシリコン酸化膜あるいはシリコン酸窒化膜を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 29/78 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318 ,  H01L 29/43
FI (5件)：
H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/316 S ,  H01L 21/318 C ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/62 G
Fターム (100件)：
4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB20 ,  4M104BB29 ,  4M104BB30 ,  4M104BB31 ,  4M104BB32 ,  4M104BB33 ,  4M104BB40 ,  4M104CC05 ,  4M104DD16 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD55 ,  4M104DD64 ,  4M104DD75 ,  4M104DD78 ,  4M104DD80 ,  4M104DD84 ,  4M104EE03 ,  4M104FF17 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH12 ,  4M104HH14 ,  4M104HH16 ,  4M104HH18 ,  5F058BD01 ,  5F058BD02 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BD12 ,  5F058BD15 ,  5F058BF55 ,  5F058BF61 ,  5F058BJ01 ,  5F140AA24 ,  5F140AA40 ,  5F140BA01 ,  5F140BA20 ,  5F140BC06 ,  5F140BC17 ,  5F140BD02 ,  5F140BD05 ,  5F140BD09 ,  5F140BD11 ,  5F140BE07 ,  5F140BE08 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BF04 ,  5F140BF10 ,  5F140BF11 ,  5F140BF17 ,  5F140BF18 ,  5F140BF20 ,  5F140BF21 ,  5F140BF27 ,  5F140BG02 ,  5F140BG03 ,  5F140BG05 ,  5F140BG08 ,  5F140BG14 ,  5F140BG28 ,  5F140BG30 ,  5F140BG31 ,  5F140BG33 ,  5F140BG34 ,  5F140BG36 ,  5F140BG37 ,  5F140BG40 ,  5F140BG44 ,  5F140BG45 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BG56 ,  5F140BH15 ,  5F140BH35 ,  5F140BJ08 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ17 ,  5F140BJ20 ,  5F140BJ27 ,  5F140BK02 ,  5F140BK05 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140BK22 ,  5F140BK25 ,  5F140BK26 ,  5F140BK29 ,  5F140BK34 ,  5F140CA03 ,  5F140CC03 ,  5F140CE07 ,  5F140CF04
引用特許：
審査官引用 (11件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM