特許
J-GLOBAL ID:200903057753268160

電界発光素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 蔵合 正博 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-049489
公開番号(公開出願番号):特開2001-273978
出願日: 1993年11月01日
公開日(公表日): 2001年10月05日
要約:
【要約】【課題】 発光安定性、保存安定性に優れた正孔輸送層を有する有機EL素子を提供すること。【解決手段】 ITO電極、正孔輸送層、発光層、電子輸送層およびマグネシウム/銀電極からなるEL素子を提供する。新たに数多くの正孔輸送材料を合成する。発光層としては主に電子輸送層を兼ねるアルミキノリン3量体を用いた。上記正孔輸送層の材料として、少なくともテトラフェニルベンジジン化合物、或いはトリフェニルアミン3量体のうちのいずれかを使用した。
請求項(抜粋):
下記一般式で記述されるテトラフェニルベンジジン化合物を用い、蒸着法により成長した膜を有することを特徴とする電界発光素子。【化1】ただし、R1 、R2 は水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、フェニル基、低級アルキル基または低級アルコキシ基を置換基として有するフェニル基、R3 は水素原子、メチル基、メトキシ基、またはクロル原子を表す。また、R1、R2 の少なくとも一方は、ノルマルブチル基、イソブチル基、セカンダリブチル基、ターシャルブチル基、フェニル基、低級アルキル基または低級アルコキシ基を有するフェニル基を表す。
IPC (4件):
H05B 33/22 ,  C09K 11/06 690 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14
FI (5件):
H05B 33/22 D ,  H05B 33/22 B ,  C09K 11/06 690 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14 B
引用特許:
審査官引用 (8件)
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