特許
J-GLOBAL ID:200903057758378702

気密封止型半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小池 隆彌
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-242607
公開番号(公開出願番号):特開2001-068576
出願日: 1999年08月30日
公開日(公表日): 2001年03月16日
要約:
【要約】【課題】 低コストでかつ安定した封止性が得られる気密封止型半導体装置、特に、超薄型でかつ大面積の封止領域を有する気密封止型半導体装置を提供する。【解決手段】 配線基板1は、セラミック材料からなり、配線パターン2が形成されている。高周波用の半導体素子3は、上記配線パターン2と金属ボール4を介してフリップチップ接続されている。配線基板1の上記半導体素子3の搭載面とは反対側の面にはマイクロストリップアンテナ等のアンテナ機構10を有する配線パターンが形成されている。キャップ101は、外周にフランジ部101aを、中央に凹部101bを有するように絞り加工が施された低線膨張金属11と、その低線膨張金属の前記配線基板側の面を覆う半田材料12と、を有する複合材からなる。
請求項(抜粋):
配線パターンが形成され、セラミック材料からなる平板の配線基板と、該配線基板上の前記配線パターンと金属ボールを介してフリップチップ接続された半導体素子と、少なくとも前記配線基板上の前記半導体素子を含む部分を封止するキャップと、を有してなる気密封止型半導体装置において、前記キャップは、外周にフランジ部を、中央に凹部を有するように絞り加工が施された低線膨張金属と、該低線膨張金属の少なくとも前記フランジ部の前記配線基板側の面に形成された半田材料と、を有する複合材からなり、前記フランジ部において前記配線基板に取り付けられてなることを特徴とする気密封止型半導体装置。
IPC (5件):
H01L 23/02 ,  H01L 23/12 301 ,  H01L 25/04 ,  H01L 25/18 ,  H05K 5/06
FI (6件):
H01L 23/02 C ,  H01L 23/02 H ,  H01L 23/02 J ,  H01L 23/12 301 Z ,  H05K 5/06 A ,  H01L 25/04 Z
Fターム (4件):
4E360AB33 ,  4E360GA23 ,  4E360GA53 ,  4E360GB99
引用特許:
審査官引用 (4件)
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