特許
J-GLOBAL ID:200903057765260571

サファイア単結晶の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 野口 恭弘
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-112505
公開番号(公開出願番号):特開2008-266078
出願日: 2007年04月23日
公開日(公表日): 2008年11月06日
要約:
【課題】引上げ法による不純物を低減した高品質のサファイア単結晶製造方法を提供する。【解決手段】酸化ハフニウムを10重量%以上含む断熱材5をイリジウムるつぼ3付近に使用してサファイア融液1からサファイア単結晶を引上げるサファイア単結晶の製造方法。前記酸化ハフニウム断熱材5の外周にジルコニアを主成分とする断熱材7及び/又はアルミナを主成分とする断熱材8を使用してもよい。サファイア単結晶を引上げる際に、酸素濃度が10ppm以上1%以下のガス雰囲気とすることが好ましい。【選択図】図1
請求項(抜粋):
酸化ハフニウムを10重量%以上含む断熱材をイリジウムるつぼ付近に使用してサファイア融液からサファイア単結晶を引上げることを特徴とするサファイア単結晶の製造方法。
IPC (2件):
C30B 29/20 ,  C30B 15/00
FI (2件):
C30B29/20 ,  C30B15/00 Z
Fターム (10件):
4G077AA02 ,  4G077BB01 ,  4G077CF10 ,  4G077EA07 ,  4G077EG02 ,  4G077EG19 ,  4G077EG25 ,  4G077HA12 ,  4G077PA03 ,  4G077PA16
引用特許:
出願人引用 (3件)

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