プラズマ成膜方法及びプラズマCVD装置

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：光石俊郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-105591
公開番号（公開出願番号）：特開2002-299332
出願日： 2001年04月04日
公開日（公表日）： 2002年10月11日
要約：

【要約】【課題】素子の還元劣化を招くことなく酸化膜を形成することができるプラズマ成膜方法及びプラズマCVD装置を提供する。【解決手段】原料ガスと酸化ガスの総質量流量100SCCM当たりに500W以上の高周波パワーを印加し、且つ前記原料ガスに対する酸化ガスの質量流量比を3倍以上とし、更に成膜温度範囲を100°C〜300°Cとして、酸化膜を形成する。また、酸化膜を形成する際には、まず、バイアスを印加せずに500オングストローム以上の保護膜(酸化膜)を形成し、その後、バイアスを印加して埋め込み成膜を行い、最後に、バイアスを印加しないで高速成膜を行う。また、酸化ガス供給ノズルが上になり原料ガス供給ノズルが下になるように配置し、且つ、平面視において原料ガス供給ノズルと酸化ガス供給ノズルとが成膜室の周方向に交互に位置するように配置する。

請求項（抜粋）：

低圧環境下に供給された原料ガスと酸化ガスとに高周波パワーを印加し、これにより発生したプラズマによる化学的な反応を利用して、基板上に酸化膜を形成するプラズマ成膜方法において、成膜に必要な高周波パワー以上に、原料ガス中の還元ガスを十分に分離、分解する目的で高い高周波パワーを印加し、更に原料ガスに対する酸化ガスの量を前記酸化膜の形成に要する量よりも多くして、この酸化ガスと、原料ガスの分解により生じる還元ガスとを反応させることにより、基板上の素子に対する前記還元ガスによる還元反応劣化を抑制することを特徴とするプラズマ成膜方法。

IPC (4件)：

H01L 21/31 , C23C 16/40 , C23C 16/507 , C23C 16/52

FI (4件)：

H01L 21/31 C , C23C 16/40 , C23C 16/507 , C23C 16/52

Fターム (29件)：

4K030AA06 , 4K030AA14 , 4K030AA24 , 4K030BA35 , 4K030BA42 , 4K030BA44 , 4K030EA06 , 4K030FA04 , 4K030HA01 , 4K030JA05 , 4K030JA06 , 4K030JA10 , 4K030JA16 , 4K030JA18 , 4K030KA20 , 4K030LA01 , 4K030LA15 , 5F045AA08 , 5F045AB31 , 5F045AB32 , 5F045AC00 , 5F045AC01 , 5F045AC11 , 5F045AD05 , 5F045AD06 , 5F045BB04 , 5F045DP04 , 5F045EF02 , 5F045EF04

引用特許：

審査官引用 (6件)

プラズマ成膜方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-056752 出願人：東京エレクトロン株式会社
特開平3-036270
特開平2-089346

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