特許

J-GLOBAL ID：200903057770843992

窒化物半導体素子およびその製造方法

発明者： 菅原 岳 ,  川口 靖利 ,  石橋 明彦 ,  木戸口 勲 ,  横川 俊哉
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 奥田 誠司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-062590
公開番号（公開出願番号）：特開2004-311964
出願日： 2004年03月05日
公開日（公表日）： 2004年11月04日
要約：

【課題】窒化物半導体基板を用いながら、そのへき開が容易であり、製造歩留まりの高い窒化物半導体素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】本発明による窒化物半導体素子の製造方法は、複数のチップ用基板に分割される窒化物半導体基板であって、分割後に各チップ用基板として機能する複数の素子部分と、前記素子部分を結合している素子間部分とを有し、前記素子間部分の平均厚さが前記素子部分の厚さよりも小さい窒化物半導体基板を用意する工程(A)と、前記素子部分上にストライプ状開口部を有するマスク層を窒化物半導体基板の上面に形成する工程(B)と、前記窒化物半導体基板の上面のうち、前記マスク層の前記開口部を介して露出している領域上に、窒化物半導体の層を選択的に成長させる工程(C)と、前記窒化物半導体基板の素子間部分から前記窒化物半導体基板をへき開し、個々に分割されたチップ用基板を有する複数の窒化物半導体素子を形成する工程(D)とを含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

複数のチップ用基板に分割される窒化物半導体基板であって、分割後に各チップ用基板として機能する複数の素子部分と、前記素子部分を結合している素子間部分とを有し、前記素子間部分の平均厚さが前記素子部分の厚さよりも小さい窒化物半導体基板を用意する工程(A)と、 前記素子部分上にストライプ状開口部を有するマスク層を窒化物半導体基板の上面に形成する工程(B)と、 前記窒化物半導体基板の上面のうち、前記マスク層の前記開口部を介して露出している領域上に、窒化物半導体の層を選択的に成長させる工程(C)と、 前記窒化物半導体基板の素子間部分から前記窒化物半導体基板をへき開し、個々に分割されたチップ用基板を有する複数の窒化物半導体素子を形成する工程(D)と、 を含む窒化物半導体素子の製造方法。

IPC (1件)：

H01S5/323

FI (1件)：

H01S5/323 610

Fターム (5件)：

5F073CA02 ,  5F073CB02 ,  5F073DA32 ,  5F073DA34 ,  5F073DA35

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 窒化物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-139496   出願人：日亜化学工業株式会社
• III-N系化合物半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-266479   出願人：シャープ株式会社

審査官引用 (4件)

• 窒化物半導体チップの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-256483   出願人：シャープ株式会社
• 窒化物系化合物半導体発光素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-037946   出願人：株式会社日立製作所
• 窒化物半導体発光素子とその製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-038282   出願人：シャープ株式会社
• 選択成長法を用いた窒化ガリウム系半導体レーザの製造方法及び窒化ガリウム系半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-343125   出願人：日本電気株式会社