特許
J-GLOBAL ID：200903046409509792
窒化物半導体素子
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-139496
公開番号（公開出願番号）：特開平11-330622
出願日： 1998年05月21日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：
【要約】【目的】 基板裏面側からn電極を取り出すための新規な窒化物半導体素子の構造を提供する。【構成】 GaN基板のas-grown側に構造が形成されており、研磨面側にn電極が形成される層として、n型不純物がドープされたn型窒化物半導体を有するn側コンタクト層が形成されている。n側コンタクト層は研磨面側のGaN基板のダメージ回復層および、電極形成層として作用するので、発光素子では発光開始電圧を低下させて、発光効率に優れた素子を実現できる。
請求項（抜粋）：
第1の主面と第2の主面とを有し、n型不純物がドープされた窒化物半導体よりなる基板の第1の主面側に、n型窒化物半導体層とp型窒化物半導体層とを有する素子構造が形成されており、第2の主面側にはn電極が形成される層として、n型不純物がドープされたn型窒化物半導体を有するn側コンタクト層が形成されていることを特徴とする窒化物半導体素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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