特許
J-GLOBAL ID:200903057786990987

基板処理装置および基板処理方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (6件): 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-138647
公開番号(公開出願番号):特開2004-342886
出願日: 2003年05月16日
公開日(公表日): 2004年12月02日
要約:
【課題】短時間に有機レジストを処理むらなく除去することが可能で、特に大型の被処理基板の処理に適した基板処理装置を提供する。【解決手段】基板処理装置1は、被処理基板200の端面を支持しつつ一方向に向かって被処理基板200を搬送する搬送ローラ30と、被処理基板200から離間して位置する第1ノズル体10および第2ノズル体20とを備える。第1ノズル体10には、第1噴出口12および第1吸引口13が設けられており、第1噴出口12からは被処理基板200の被処理面201に向けて有機レジストを分解除去する第1処理流体が噴出され、第1吸引口13からは処理済みの第1処理流体が吸引される。第2ノズル体20には、第2噴出口22および第2吸引口23が設けられており、第2噴出口22からは被処理基板200の裏面202に向けて第2処理流体が噴出され、第2吸引口23からは処理済みの第2処理流体が吸引される。【選択図】 図2
請求項(抜粋):
被処理基板の被処理面に形成された有機薄膜を除去する基板処理装置であって、 前記被処理基板の端面を支持しつつ前記被処理基板を一方向に向かって搬送する搬送手段と、 前記被処理基板の被処理面から離間して位置する第1対向面を有する第1ノズル体と、 前記被処理基板の裏面から離間して位置する第2対向面を有する第2ノズル体と、 前記第1対向面に設けられた複数の第1噴出口を介して、前記被処理基板の被処理面に向けて前記有機薄膜を分解除去する第1処理流体を噴出する第1処理流体供給手段と、 前記第1対向面に設けられた複数の第1吸引口を介して、前記被処理基板の被処理面に向けて噴出された前記第1処理流体を吸引する第1処理流体回収手段と、 前記第2対向面に設けられた複数の第2噴出口を介して、前記被処理基板の裏面に向けて第2処理流体を噴出する第2処理流体供給手段と、 前記第2対向面に設けられた複数の第2吸引口を介して、前記被処理基板の裏面に向けて噴出された前記第2処理流体を吸引する第2処理流体回収手段とを備えた、基板処理装置。
IPC (4件):
H01L21/304 ,  G03F7/42 ,  H01L21/027 ,  H01L21/3065
FI (6件):
H01L21/304 643B ,  H01L21/304 643C ,  H01L21/304 643D ,  G03F7/42 ,  H01L21/30 572B ,  H01L21/302 104H
Fターム (13件):
2H096AA25 ,  2H096AA30 ,  2H096LA02 ,  5F004BA19 ,  5F004BB05 ,  5F004BC03 ,  5F004BC07 ,  5F004BD01 ,  5F004DA00 ,  5F004DA27 ,  5F004DB26 ,  5F004EA10 ,  5F046MA10
引用特許:
審査官引用 (5件)
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