有機物除去方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：萼経夫 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-541728
公開番号（公開出願番号）：特表2002-510806
出願日： 1999年03月30日
公開日（公表日）： 2002年04月09日
要約：

【要約】【課題】有機物除去方法を提供する。【解決手段】オゾンと、重炭酸塩または他の適当なラジカル捕捉剤からなる処理溶液が電子装置における使用のための基材を処理するために使用される、ホトレジスト除去の改良方法を開示する。本方法は、ある種の金属、例えばアルミニウム、銅およびそれらの酸化物が基材表面上に存在する場合のホトレジスト除去に、特に良好に適している。本方法はまた、他の有機材料の除去にも同様に適当である。

請求項（抜粋）：

電子装置における使用のための基材から有機材料を除去する方法であって、有機材料の暴露領域を有する基材を、キャリヤー溶媒、オゾン、および重炭酸イオン源および/または炭酸イオン源を含む処理溶液で処理することからなる方法。

IPC (4件)：

G03F 7/42 , H01L 21/304 643 , H01L 21/304 645 , H01L 21/306

FI (4件)：

G03F 7/42 , H01L 21/304 643 B , H01L 21/304 645 Z , H01L 21/306 D

Fターム (10件)：

2H096AA25 , 2H096AA27 , 2H096LA03 , 5F043AA37 , 5F043BB25 , 5F043CC16 , 5F043DD07 , 5F043EE07 , 5F043EE08 , 5F043GG10

引用特許：

審査官引用 (8件)

電子材料用洗浄水
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-355180 出願人：栗田工業株式会社
半導体基板の処理薬液及び半導体基板の薬液処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-283744 出願人：日本電気株式会社
半導体基板表面からの有機汚染物の除去方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-331555 出願人：アンテルユニヴェルシテール・ミクロ-エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ

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