半導体素子製造方法および処理装置

発明者： , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (1件)：深見久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-029841
公開番号（公開出願番号）：特開2000-228400
出願日： 1999年02月08日
公開日（公表日）： 2000年08月15日
要約：

【要約】【課題】成膜の低温化を図るために導入する励起種の供給方法を工夫することにより、荷電粒子などの影響による損傷を抑制して素子の制御性や信頼性を高める。【解決手段】基板10上に酸化物薄膜を形成する工程において、酸化物薄膜の形成に必要な酸素の原料として酸素の中性活性種がヘリコン波プラズマから供給される。

請求項（抜粋）：

基板上に酸化物薄膜を形成する工程において、前記酸化物薄膜の形成に必要な酸素の原料として酸素の中性活性種をヘリコン波プラズマから供給することを特徴とする、半導体素子製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/316 , C23C 16/40 , C23C 16/50 , H01J 37/317 , H01L 21/31

FI (5件)：

H01L 21/316 X , C23C 16/40 , C23C 16/50 Z , H01J 37/317 Z , H01L 21/31 C

Fターム (31件)：

4K030AA06 , 4K030BA44 , 4K030BB01 , 4K030FA01 , 4K030FA02 , 4K030FA06 , 4K030KA12 , 4K030LA02 , 4K030LA15 , 5C034CC07 , 5C034CC19 , 5F045AA08 , 5F045AB32 , 5F045AB40 , 5F045AC01 , 5F045AC11 , 5F045AF03 , 5F045BB16 , 5F045DP09 , 5F045EF18 , 5F045EH18 , 5F058BA06 , 5F058BA20 , 5F058BC02 , 5F058BC20 , 5F058BF07 , 5F058BF23 , 5F058BF29 , 5F058BF37 , 5F058BF39 , 5F058BJ01

引用特許：

審査官引用 (6件)

プラズマ処理方法及び装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-091813 出願人：日電アネルバ株式会社
特開平1-204434
電子デバイス製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-143172 出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド

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