エッチング方法および半導体装置の作製方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-030116
公開番号（公開出願番号）：特開平8-203880
出願日： 1995年01月26日
公開日（公表日）： 1996年08月09日
要約：

【要約】【目的】薄膜トランジスタの作製工程において、アルミニウムの電極または配線上に形成された酸化アルミニウムの膜を除去し、コンタクトホールを形成する技術を提供する。【構成】酸化珪素膜104上に形成されたアルミニウムの電極または配線105の周囲に陽極酸化工程において、酸化物層106を形成する。そして、アルミニウムの電極または配線105に対するコンタクホールを形成するためにドライエッチングを行う。この際、塩素系のガスであるBCl3 に炭素系のガスであるCF4 を混合させる。この結果、アルミニウムの酸化物層106をエッチングすることができる。

請求項（抜粋）：

アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする電極または配線と、前記電極または配線の周囲に形成された酸化物層と、を有する構造に対して、ドライエッチングにより前記酸化物層の一部と前記電極または配線の一部を除去する工程を有することを特徴とするエッチング方法。

IPC (5件)：

H01L 21/3065 , H01L 21/28 , H01L 21/28 301 , H01L 21/3205 , H01L 21/768

FI (4件)：

H01L 21/302 G , H01L 21/302 F , H01L 21/88 N , H01L 21/90 A

引用特許：

出願人引用 (7件)

エッチング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-002539 出願人：株式会社東芝
薄膜半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-266362 出願人：富士ゼロツクス株式会社
半導体装置とその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-103516 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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審査官引用 (7件)

エッチング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-002539 出願人：株式会社東芝
薄膜半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-266362 出願人：富士ゼロツクス株式会社
半導体装置とその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-103516 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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