特許
J-GLOBAL ID：200903057874275376
超伝導膜の超伝導特性の評価方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
平山 一幸
, 海津 保三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-381028
公開番号（公開出願番号）：特開2004-212168
出願日： 2002年12月27日
公開日（公表日）： 2004年07月29日
要約：
【課題】高感度、簡便、且つ、低コストな超伝導膜の評価方法を提供する。【解決手段】超伝導膜1を秤2に固定し、容器3に冷媒4を入れ、超伝導膜1を冷却して超伝導状態にする。磁石5を徐々に下降させると共に秤2で超伝導膜1に働く力を検出し、斥力から引力に変わる超伝導膜1と磁石5との間の距離Zを測定する。超伝導膜1に印加される磁場強度が下部臨界磁場Hc1に達すると磁束が超伝導膜1中に進入し、磁束が超伝導膜1中に進入できるようになると、超伝導膜1と磁石5との間に引力が働く。超伝導特性の優れた超伝導膜は、距離Zが小さい。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
超伝導膜に磁場発生源からの磁場を印加し、この超伝導膜に印加される磁場強度を変化させ、上記超伝導膜と上記磁場発生源との間に働く力が、斥力から引力、または引力から斥力に変化する上記磁場強度から上記超伝導膜の超伝導特性を評価する、超伝導膜の超伝導特性の評価方法。
IPC (3件)：
G01N27/72
, G01R33/12
, H01L39/00
G01N27/72
, G01R33/12 Z
, H01L39/00 G
2G017AA01
, 2G017AD31
, 2G017CA15
, 2G017CB24
, 2G017CD10
, 2G053AB14
, 2G053AB15
, 2G053BA15
, 2G053BA16
, 2G053BB11
, 2G053BB17
, 2G053BC20
, 2G053CA13
, 2G053DB06
, 2G053DB11
, 4M113AC44
, 5G321AA01
, 5G321AA07
, 5G321BA01
, 5G321BA07
, 5G321CA18
, 5G321CA21
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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