半導体装置及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：吉田茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-014353
公開番号（公開出願番号）：特開2000-216265
出願日： 1999年01月22日
公開日（公表日）： 2000年08月04日
要約：

【要約】【課題】アナログ信号処理回路とディジタル信号処理回路とがワンチップに集積された半導体装置において、製造時間及び製造コストの上昇を最低限に抑制する。【解決手段】一般的な半導体集積回路の製造方法に比べて、半導体アイランド24a,24bを製造する工程のみを追加的に実施するだけで、アナログ信号処理回路14〜16とディジタル信号処理回路11〜13とを隣接して高密度にワンチップ化する。

請求項（抜粋）：

アナログ信号処理回路とディジタル信号処理回路とがワンチップに集積された半導体装置であって、基板の一部の領域に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜の上層に形成された単結晶の半導体アイランドと、前記半導体アイランドを母材として形成された第1の半導体素子と、前記基板の前記絶縁膜以外の領域に形成された第2の半導体素子とを備え、前記第1の半導体素子は、高周波信号を含む所定のアナログ信号を処理するアナログ信号処理回路と、所定のディジタル信号を処理するディジタル信号処理回路とのうちの一方であり、前記第2の半導体素子は、高周波信号を含む所定のアナログ信号を処理するアナログ信号処理回路と、所定のディジタル信号を処理するディジタル信号処理回路とのうちの他方であり、前記半導体アイランドは、前記絶縁膜の結晶以下の温度下で、形成すべき前記単結晶の半導体アイランドにおける方向の相異なる複数の最稠密結晶面に垂直な方向から、スパッタリングを引き起こさない低エネルギーの気体のビームを、前記半導体アイランドの表面へ向かって照射することにより転換形成された単結晶半導体薄膜であることを特徴とする半導体装置。

IPC (10件)：

H01L 21/8238 , H01L 27/092 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 21/8249 , H01L 27/06 , H01L 27/12 , H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/205

FI (7件)：

H01L 27/08 321 B , H01L 27/12 L , H01L 21/205 , H01L 27/04 A , H01L 27/06 321 E , H01L 29/78 613 Z , H01L 29/78 627 G

Fターム (46件)：

5F038AV05 , 5F038AV06 , 5F038AV20 , 5F038BH02 , 5F038CA03 , 5F038CA05 , 5F038DF12 , 5F038EZ06 , 5F045AA10 , 5F045AB02 , 5F045AB04 , 5F045AB09 , 5F045AB10 , 5F045AC01 , 5F045AC16 , 5F045AC17 , 5F045AC19 , 5F045AD09 , 5F045AF03 , 5F045AF08 , 5F045BB16 , 5F045CA01 , 5F045CA03 , 5F045DA53 , 5F045DP04 , 5F045EH17 , 5F045EH19 , 5F045HA18 , 5F045HA19 , 5F048AA09 , 5F048BA01 , 5F048BA09 , 5F048BC06 , 5F048BC11 , 5F048BG01 , 5F048BG07 , 5F110AA16 , 5F110BB04 , 5F110CC01 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE45 , 5F110FF02 , 5F110HM15 , 5F110PP01 , 5F110PP22

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-236193 出願人：株式会社日立製作所
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-285123 出願人：株式会社メガチップス
液晶表示装置およびその製造方法、並びに、半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-327707 出願人：株式会社クリスタルデバイス

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