太陽電池の薄膜組成用インクとその製造方法、これを利用したCIGS薄膜型太陽電池、及びその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：グローバル・アイピー東京特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-021019
公開番号（公開出願番号）：特開2009-076842
出願日： 2008年01月31日
公開日（公表日）： 2009年04月09日
要約：

【課題】太陽電池における光・電変換率の最大化を実現するCIGS薄膜太陽電池において、真空工程や複雑な装備の必要なしに、ナノ粒子インクの印刷工程だけでCIGS薄膜を製造し、CIGS薄膜のCu/(In+Ga)比率及びGa/(In+Ga)比率を自在に調節できるようにする。【解決手段】本発明は、ナノ粒子を含有する太陽電池の薄膜組成用インクとその製造方法、及び前記ナノ粒子を含有するインクを背面電極上に塗布又は印刷して形成した光吸収層を少なくとも1つ以上包含するCIGS薄膜型太陽電池とその製造方法によって本発明の課題を解決する。前記光吸収層は、構成成分としてCu、In、Ga及びSe元素を含有し、これらの元素は、少なくともCu2Seナノ粒子及び(In、Ga)2Se3ナノ粒子を含有するインクを前記背面電極上に塗布又は印刷した後、これを熱処理して形成することを特徴とする。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

Cu、In、Ga、Se及びSの中のいずれか1つ以上の元素を包含し、Cu2(Se1-xSx)ナノ粒子及び(In、Ga)2(Se1-ySy)3ナノ粒子を含有するインクを背面電極上に塗布又は印刷して形成した光吸収層を少なくとも1つ以上包含することを特徴とするCIGS薄膜型太陽電池。但し、前記ナノ粒子の化学式におけるxとyの範囲はそれぞれ0≦x≦1、0≦y≦1である。

IPC (1件)：

H01L 31/04

FI (1件)：

H01L31/04 E

Fターム (6件)：

5F051AA10 , 5F051CB13 , 5F051CB24 , 5F051FA14 , 5F051FA15 , 5F051GA03

引用特許：

審査官引用 (4件)

薄膜太陽電池の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-220809 出願人：富士電機株式会社
化合物半導体薄膜とその製造方法及び太陽電池
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-219580 出願人：松下電器産業株式会社
太陽電池
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-057481 出願人：松下電器産業株式会社

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