特許
J-GLOBAL ID：200903009256133663
太陽電池
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-057481
公開番号（公開出願番号）：特開2000-323733
出願日： 2000年03月02日
公開日（公表日）： 2000年11月24日
要約：
【要約】【課題】 半導体層の電子親和力、禁制帯幅および材料を好適に組み合わせることによって、変換効率が高い太陽電池を提供する。【解決手段】 基板11と、基板11上に順次積層された下部電極膜12、p形の半導体層13(第2の半導体層)、n形の半導体層14(第1の半導体層)、上部電極膜15および反射防止膜16と、上部電極膜15上に形成された取り出し電極17とを含む。半導体層13はCdを含まず、半導体層14は光吸収層であり、半導体層14の禁制帯幅Eg<SB>1</SB>と半導体層13の禁制帯幅Eg<SB>2</SB>とが、Eg<SB>1</SB>>Eg<SB>2</SB>の関係を満たし、半導体層14の電子親和力χ<SB>1</SB>(eV)と半導体層13の電子親和力χ<SB>2</SB>(eV)とが、0≦(χ<SB>2</SB>-χ<SB>1</SB>)<0.5の関係を満たす。
請求項（抜粋）：
n形である第1の半導体層とp形である第2の半導体層とを含み、前記第1の半導体層と前記第2の半導体層とがpn接合を形成している太陽電池であって、前記第1の半導体層はCdを含まず、前記第2の半導体層は光吸収層であり、前記第1の半導体層の禁制帯幅Eg<SB>1</SB>と前記第2の半導体層の禁制帯幅Eg<SB>2</SB>とが、Eg<SB>1</SB>>Eg<SB>2</SB>の関係を満たし、前記第1の半導体層の電子親和力χ<SB>1</SB>(eV)と前記第2の半導体層の電子親和力χ<SB>2</SB>(eV)とが、0≦(χ<SB>2</SB>-χ<SB>1</SB>)<0.5の関係を満たすことを特徴とする太陽電池。
Fターム (4件)：
5F051AA07
, 5F051AA10
, 5F051DA03
, 5F051DA11
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (2件)
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