特許
J-GLOBAL ID：200903057904976099
マイクロ機械加工されたマイクロフォンおよびマルチセンサ、ならびにそれらを生産する方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
山本 秀策
, 安村 高明
, 森下 夏樹
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-508951
公開番号（公開出願番号）：特表2008-539666
出願日： 2006年04月21日
公開日（公表日）： 2008年11月13日
要約：
マイクロフォンが、シリコンウェハまたはSOIウェハから形成される。マイクロフォン用の固定感知電極が、ウェハの上面シリコン層から形成される。様々なポリシリコンのマイクロフォン構造が、少なくとも1つの酸化物層を堆積させ、構造を形成して、上面シリコン層を介して形成されたトレンチを介して、上面シリコン層の裏側から構造の下にある酸化物の一部を除去することによって、上面シリコン層の表側上に形成される。トレンチは、音波が、上面シリコン層の裏側からダイヤフラムに到達することを可能にする。SOIウェハにおいて、空洞が、底面シリコン層および中間酸化物層を介して形成されて、酸化物の除去および音波のダイヤフラムへの到達を可能にすることの両方のためにトレンチを露出させる。慣性センサが、同一のウェハ上に形成され得、様々な慣性センサが、実質的に同時に、対応するマイクロフォン構造と実質的に同一の工程を用いて形成される。
請求項（抜粋）：
少なくとも第1のシリコン層を有するウェハからマイクロ機械加工されたマイクロフォンを製造する方法であって、該方法は、
該第1のシリコン層の表側に少なくとも1つの酸化物層を形成することと、
少なくとも1つの該酸化物層に、ダイヤフラムを含む複数のポリシリコンマイクロフォン構造を形成することと、
該第1のシリコン層を介して形成された複数のトレンチを介して、該第1のシリコン層の裏側から、複数のポリシリコンのマイクロフォン構造の下にある少なくとも1つの酸化物層のうちの一部分を除去することと
を包含する、方法。
IPC (3件)：
H04R 31/00
, B81C 1/00
, B81B 3/00
H04R31/00 C
, B81C1/00
, B81B3/00
3C081AA11
, 3C081BA30
, 3C081BA44
, 3C081BA45
, 3C081BA48
, 3C081CA03
, 3C081DA04
, 3C081DA22
, 3C081DA45
, 3C081EA02
, 3C081EA21
, 5D021CC19
, 5D021CC20
出願人引用 (16件)
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審査官引用 (16件)
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