トランジスタ構成素子とその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：矢野敏雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-165279
公開番号（公開出願番号）：特開平11-068106
出願日： 1998年06月12日
公開日（公表日）： 1999年03月09日
要約：

【要約】【課題】高い電流負荷能力及び良好な導通特性を有するトランジスタ構成素子乃至は高い電流負荷能力を有する構成素子の簡単な製造方法を提供することである。【解決手段】上記課題は、裏面側接続部は、強くp-ドープされ拡散領域として形成された領域を介してp-基板に電気的に接続されていること、及び裏面側接続部を装着する前にp-ドープ原子がp-基板の裏面側に拡散注入されることによって解決される。

請求項（抜粋）：

少なくとも1つの絶縁されたゲート電極(13)とp-基板(3)において横方向の及び垂直方向の電流フローとを有するトランジスタ構成素子であって、前記p-基板(3)の表面側にn-領域(4)が配置されており、該n-領域(4)にはまた強くp-ドープされたアノード領域(5)が埋め込まれており、前記垂直方向の電流フローは裏面側接続部(7)を介して行われる、トランジスタ構成素子において、前記裏面側接続部は、強くp-ドープされ拡散領域(8)として形成された領域を介して前記p-基板に電気的に接続されていることを特徴とするトランジスタ構成素子。

IPC (2件)：

H01L 29/78 , C30B 31/02

FI (4件)：

H01L 29/78 655 Z , C30B 31/02 , H01L 29/78 301 W , H01L 29/78 655 F

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開昭62-189758
半導体集積回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-149076 出願人：日本電気アイシーマイコンシステム株式会社
特開平1-138759

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