特許
J-GLOBAL ID：200903058000415000

半導体薄膜および半導体装置

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-178509
公開番号（公開出願番号）：特開平10-012889
出願日： 1996年06月18日
公開日（公表日）： 1998年01月16日
要約：
【要約】【目的】 実質的に単結晶と見なせる半導体履薄膜を形成し、かかる半導体薄膜を用いて高性能な半導体装置を作製することを目的とする。【構成】 加熱処理等により形成した結晶性珪素膜に対して、さらに高い熱酸化工程を行うことで実質的に単結晶と見なせる領域を有する結晶性珪素膜を得ることができる。かかる珪素膜はエネルギーバンドギャップ(Eg)が1.3 〜1.9eVであり、単結晶珪素膜とは異なるEgを有していることに大きな特徴がある。
請求項（抜粋）：
絶縁性を有する基板上に形成された半導体薄膜であって、前記半導体薄膜は実質的に単結晶と見なせる領域を有する珪素膜であり、前記珪素膜のエネルギーバンドギャップは室温で1.3 〜1.9eV であることを特徴とする半導体薄膜。
IPC (4件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/316
FI (5件)：
H01L 29/78 627 G ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/316 T ,  H01L 29/78 613 A ,  H01L 29/78 618 A
引用特許：
審査官引用 (7件)
  • 特開昭60-245173
  • 半導体装置の作製方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-162703   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
  • 半導体装置およびその作製方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-347643   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM