特許
J-GLOBAL ID：200903068073391821

窒化物系III-V族化合物層の製造方法およびそれを用いた基板の製造方法

発明者：
冨岡 聡

冨岡 聡 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-376422
公開番号（公開出願番号）：特開2001-168045
出願日： 1999年12月08日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
要約：
【要約】【課題】 品質を向上させることができ、かつ製造プロセスの簡易化を図ることができる窒化物系III-V族化合物層の製造方法およびそれを用いた基板の製造方法を提供する。【解決手段】 成長用基体10上に、成長面に対して垂直な方向の成長速度が10μm/hより大きくなるように第1の成長層21を成長させる。そののち、成長面に対して垂直な方向の成長速度が10μm/h以下となるように第2の成長層22を成長させる。大きな成長速度で成長した第1の成長層21の表面は荒れたものとなるが、それよりも小さな成長速度で第2の成長層22を成長させることにより、第1の成長層21の表面の窪みが埋められ、第2の成長層22の表面を平坦にすることができる。また、第1の成長層21の表面の窪みを埋めるように横方向に成長が起こるため、第1の成長層21から引き継がれた転位Dが横方向に屈曲し、第2の成長層22の表面まで伝搬される転位Dの密度が大きく低減する。
請求項（抜粋）：
III族元素としてガリウム(Ga),アルミニウム(Al),ホウ素(B)およびインジウム(In)からなる群のうちの少なくとも1種を含み、V族元素として少なくとも窒素(N)を含む窒化物系III-V族化合物層の製造方法であって、窒化物系III-V族化合物を含有する第1の成長層を、第1の成長速度で成長させる第1の成長工程と、窒化物系III-V族化合物を含有する第2の成長層を、前記第1の成長速度よりも小さい第2の成長速度で成長させる第2の成長工程とを含むことを特徴とする窒化物系III-V族化合物層の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205 ,  H01L 21/203 ,  H01L 33/00
FI (3件)：
H01L 21/205 ,  H01L 21/203 M ,  H01L 33/00 C
Fターム (45件)：
5F041AA40 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66 ,  5F041CA74 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AC01 ,  5F045AC03 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AC15 ,  5F045AC18 ,  5F045AD14 ,  5F045AF02 ,  5F045AF09 ,  5F045BB09 ,  5F045BB12 ,  5F045BB19 ,  5F045CA10 ,  5F045EB13 ,  5F045GH09 ,  5F045HA14 ,  5F103AA04 ,  5F103AA05 ,  5F103DD01 ,  5F103DD27 ,  5F103KK01 ,  5F103KK02 ,  5F103KK04 ,  5F103KK06 ,  5F103KK07 ,  5F103KK08 ,  5F103LL02 ,  5F103NN02 ,  5F103PP02 ,  5F103RR06
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (7件)
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