特許
J-GLOBAL ID：200903058050888910

面発光レーザ用ミラー構造およびその形成方法

発明者：
武政 敬三

武政 敬三 について

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和田 浩

和田 浩 について

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高森 毅

高森 毅 について

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上條 健

上條 健 について


出願人/特許権者：
沖電気工業株式会社

沖電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-310914
公開番号（公開出願番号）：特開平11-145555
出願日： 1997年11月12日
公開日（公表日）： 1999年05月28日
要約：
【要約】【課題】 InP系面発光レーザ用ミラー構造を構成する半導体多層膜の1ペアあたりの反射率を向上させる。【解決手段】 III 族元素としてアルミニウムのみを含むIII-V族化合物半導体としてのAlAs0.6 Sb0.4 の酸化物を以て構成された第1膜と、このIII-V族化合物半導体よりも酸化スピードの遅い半導体としてのIn0.65Ga0.35As0.74P0.26を以て構成された第2膜とを交互に繰り返し積層した半導体多層膜を以てミラー構造12を構成してある。AlAs0.6 Sb0.4 およびIn0.65Ga0.35As0.74P0.26の格子定数は、それぞれInP基板の格子定数5.869Åに一致する。また、第1膜32のAlAs0.6 Sb0.4 の酸化物の屈折率1.8は、第2膜のIn0.65Ga0.35As0.74P0.26の屈折率3.4よりも1.6小さい。
請求項（抜粋）：
InP基板上に形成された面発光レーザを構成するミラー構造において、III 族元素としてアルミニウムのみを含むIII-V族化合物半導体の酸化物を以て構成された第1膜と、該III-V族化合物半導体よりも酸化スピードの遅い半導体を以て構成された第2膜とを交互に繰り返し積層したミラー構造であって、前記III-V族化合物半導体および前記半導体は、それぞれInP基板に格子整合する材料からなることを特徴とする面発光レーザ用ミラー構造。
引用特許：
審査官引用 (4件)
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