特許

J-GLOBAL ID：200903058064313790

電界効果トランジスタ

発明者： 吉田 清輝
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-094766
公開番号（公開出願番号）：特開2005-285924
出願日： 2004年03月29日
公開日（公表日）： 2005年10月13日
要約：

【課題】ソース-ドレイン間の抵抗が小さく、また、半導体の埋め込みが困難となる問題も発生しにくい電界効果トランジスタの提供を目的とする。【解決手段】第一導電型の半導体からなるドリフト領域3aと第二導電型の半導体からなる仕切り領域3bを交互に配置した並列pn層3からなる超接合4、及び、前記超接合4を挟んで基板1の一方の主面2aと他方の主面2bにそれぞれ形成されたソース電極S及びドレイン電極Dを備えた電界効果トランジスタにおいて1、前記電界効果トランジスタ1を構成する半導体は窒化物系化合物半導体からなることを特徴とする【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

第一導電型の半導体からなるドリフト領域と第二導電型の半導体からなる仕切り領域を交互に配置した並列pn層からなる超接合、及び、前記超接合を挟んで基板の一方の主面と他方の主面にそれぞれ形成されたソース電極及びドレイン電極を備えた電界効果トランジスタにおいて、前記電界効果トランジスタを構成する半導体は窒化物系化合物半導体からなることを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (1件)：

H01L29/78

FI (4件)：

H01L29/78 652H ,  H01L29/78 652R ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 653A

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 絶縁ゲート型半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-124133   出願人：古河電気工業株式会社

審査官引用 (4件)

• 電力用半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-298311   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置とそれを用いたパワースイッチング駆動システム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-349785   出願人：株式会社日立製作所
• 絶縁ゲート型トランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-042990   出願人：サンケン電気株式会社
• 電力用半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-051439   出願人：株式会社東芝