半導体装置、液晶表示装置および半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：深見久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-358591
公開番号（公開出願番号）：特開2001-174848
出願日： 1999年12月17日
公開日（公表日）： 2001年06月29日
要約：

【要約】【課題】コンタクト抵抗の低減が図られ、耐薬液性が得られる配線を備えた半導体装置または液晶表示装置を提供する。【解決手段】ガラス基板2上にアルミニウム合金膜4aおよび窒素を含むアルミニウム膜5aが積層された端子側配線45aが形成されている。この端子側配線45aの表面を露出するコンタクトホール11bのコンタクト部12aにおける窒素を含むアルミニウム膜5aの膜厚は、窒素を含むアルミニウム膜の比抵抗に基づいて所定の膜厚d1に設定されている。

請求項（抜粋）：

主表面を有する基板と、前記基板の主表面上に形成された第1導電層と、前記基板の主表面上に形成され、前記第1導電層と電気的に接続される第2導電層とを備え、前記第1導電層は、アルミニウムを主成分とする第1層と、窒素を含有するアルミニウムを含む第2層とを有する積層膜からなり、前記第1導電層と前記第2導電層とが接触するコンタクト部では、前記第2層が前記第2導電層と直接接触し、前記コンタクト部における前記第2層の膜厚は、前記第2層の比抵抗に基づいて、所定のコンタクト抵抗が得られるように設定された、半導体装置。

IPC (3件)：

G02F 1/1368 , H01L 21/768 , H01L 29/786

FI (4件)：

G02F 1/136 500 , H01L 21/90 B , H01L 29/78 612 C , H01L 29/78 617 L

Fターム (65件)：

2H092JA26 , 2H092JA46 , 2H092JA47 , 2H092JA49 , 2H092KA19 , 2H092KA24 , 2H092NA28 , 5F033GG04 , 5F033HH38 , 5F033JJ38 , 5F033KK09 , 5F033KK17 , 5F033KK32 , 5F033LL07 , 5F033MM05 , 5F033MM08 , 5F033PP15 , 5F033PP16 , 5F033QQ08 , 5F033QQ10 , 5F033QQ16 , 5F033QQ19 , 5F033QQ37 , 5F033QQ73 , 5F033QQ78 , 5F033QQ90 , 5F033RR06 , 5F033RR27 , 5F033SS15 , 5F033TT02 , 5F033VV15 , 5F033WW00 , 5F033WW02 , 5F033WW04 , 5F033XX01 , 5F033XX09 , 5F033XX18 , 5F033XX27 , 5F110AA30 , 5F110CC07 , 5F110DD02 , 5F110EE01 , 5F110EE03 , 5F110EE06 , 5F110EE14 , 5F110EE37 , 5F110EE44 , 5F110FF03 , 5F110FF30 , 5F110GG02 , 5F110GG15 , 5F110GG25 , 5F110HK04 , 5F110HK08 , 5F110HK16 , 5F110HK21 , 5F110HK33 , 5F110HK35 , 5F110HL07 , 5F110NN02 , 5F110NN24 , 5F110NN35 , 5F110NN72 , 5F110NN73 , 5F110QQ04

引用特許：

審査官引用 (5件)

薄膜トランジスタおよび該薄膜トランジスタを用いた液晶表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-086292 出願人：三菱電機株式会社, 株式会社アドバンスト・ディスプレイ
液晶表示装置とその製造装置、及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-065643 出願人：株式会社リコー
薄膜状半導体装置の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-096439 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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