特許
J-GLOBAL ID：200903058114350358

発光装置とその作製方法及び薄膜形成装置

発明者：
小沼 利光

小沼 利光 について

, 
山崎 寛子

山崎 寛子 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-272825
公開番号（公開出願番号）：特開2002-158090
出願日： 2001年09月10日
公開日（公表日）： 2002年05月31日
要約：
【要約】【課題】 上面出射方式の発光装置の作製方法及びそれに用いる薄膜形成装置を提供する。【解決手段】 第1搬送室103に複数の成膜室が設けられ、複数の成膜室には金属材料蒸着室107、EL層成膜室114、スパッタリング室108、CVD室109及び封止室110が含まれる。このような薄膜形成装置を用いることで、外気に触れることなく上面出射方式のEL素子を作製することができる。これにより信頼性の高い発光装置の作製が可能となる。
請求項（抜粋）：
第1の導電膜を真空蒸着法において第1のマスクを用いることにより第1のパターンに形成する第1の成膜室と、第2の導電膜を真空蒸着法において第2のマスクを用いることにより第2のパターンに形成する第2の成膜室と、有機膜を真空蒸着法において第3のマスクを用いることにより第3のパターンに形成する第3の成膜室と、透光性導電膜を形成する第4の成膜室とを有する薄膜形成装置であって、前記第1乃至前記第4の成膜室は、搬送室とそれぞれ連結され、前記搬送室は、基板を搬送する手段を有することを特徴とする薄膜形成装置。
IPC (7件)：
H05B 33/10 ,  C23C 14/04 ,  C23C 14/06 ,  G09F 9/00 342 ,  H05B 33/04 ,  H05B 33/12 ,  H05B 33/14
FI (7件)：
H05B 33/10 ,  C23C 14/04 A ,  C23C 14/06 N ,  G09F 9/00 342 Z ,  H05B 33/04 ,  H05B 33/12 B ,  H05B 33/14 A
Fターム (35件)：
3K007AB04 ,  3K007AB11 ,  3K007AB18 ,  3K007BA06 ,  3K007BB01 ,  3K007BB07 ,  3K007CB01 ,  3K007CB03 ,  3K007DA01 ,  3K007DB03 ,  3K007EA01 ,  3K007EB00 ,  3K007FA01 ,  4K029BA04 ,  4K029BA05 ,  4K029BA13 ,  4K029BA62 ,  4K029BB02 ,  4K029BC03 ,  4K029BC09 ,  4K029BD00 ,  4K029CA01 ,  4K029CA05 ,  4K029HA01 ,  4K029HA02 ,  4K029KA01 ,  4K029KA09 ,  5G435AA04 ,  5G435AA14 ,  5G435AA17 ,  5G435BB05 ,  5G435CC09 ,  5G435HH12 ,  5G435KK05 ,  5G435KK10
引用特許：
出願人引用 (12件)
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審査官引用 (12件)
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