特許
J-GLOBAL ID：200903058213212293

照明装置

発明者：
泉 昌裕

泉 昌裕 について

, 
三瓶 友広

三瓶 友広 について


出願人/特許権者：
東芝ライテック株式会社

東芝ライテック株式会社 について


代理人 (22件)： 鈴江 武彦 ,  蔵田 昌俊 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  福原 淑弘 ,  峰 隆司 ,  白根 俊郎 ,  村松 貞男 ,  野河 信久 ,  幸長 保次郎 ,  河野 直樹 ,  砂川 克 ,  勝村 紘 ,  橋本 良郎 ,  風間 鉄也 ,  河井 将次 ,  佐藤 立志 ,  岡田 貴志 ,  堀内 美保子 ,  竹内 将訓 ,  市原 卓三 ,  山下 元
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-138226
公開番号（公開出願番号）：特開2009-010360
出願日： 2008年05月27日
公開日（公表日）： 2009年01月15日
要約：
【課題】半導体発光素子の発光効率を維持し易いともに、光の取出し効率を向上できる照明装置を提供する。【解決手段】照明装置は、金属基板2、絶縁層5、導体8、金属の光反射層4、透光性素子基板12の一面に半導体発光層13を有した半導体発光素子11、ボンディングワイヤ17、及び透光性の封止部材22を具備する。金属基板2に素子取付け部3を一体に設ける。絶縁層5を金属基板2に素子取付け部3を除いて積層し、この層5上に導体8を設ける。基板2をなした金属の反射率よりも高い反射率を有した光反射層4を素子取付け部3に積層し、この層4の反射特性を400nm〜740nmの波長の光の全光線反射率に対する拡散反射率の比を80以上とする。発光素子11を、透明なダイボンド材を用いて光反射層4にダイボンドする。ボンディングワイヤ17で発光素子11の電極14,15と導体8とを接続する。封止部材22で半導体発光素子11を封止することを特徴としている。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
素子取付け部を一体に有する金属基板と; この金属基板に前記素子取付け部を除いて積層された絶縁層と; この絶縁層上に設けられた導体と; 前記素子取付け部に積層されるとともに前記金属基板をなした金属の反射率よりも高い反射率を有した金属製の光反射層であって、400nm〜740nmの波長の光の全光線反射率に対する拡散反射率の比を80以上とした前記光反射層と; 透光性の素子基板の一面に半導体発光層を有するとともにこの発光層上に電極が設けられた半導体発光素子と; 前記素子基板の他面を前記光反射層に接着して前記半導体発光素子を前記素子取付け部にダイボンドした透光性のダイボンド材と; 前記半導体発光素子の電極と前記導体とを接続したボンディングワイヤと; 前記半導体発光素子を封止して設けた透光性の封止部材と; を具備したことを特徴とする照明装置。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  F21S 8/04
FI (2件)：
H01L33/00 M ,  F21S1/02 G
Fターム (11件)：
3K243MA01 ,  5F041AA03 ,  5F041AA05 ,  5F041AA33 ,  5F041CB36 ,  5F041DA07 ,  5F041DA13 ,  5F041DA20 ,  5F041DA33 ,  5F041DA36 ,  5F041DA45
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (11件)
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